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VBFB18R06S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,6A,RDS(ON),0.850Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-VBFB18R06S TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB18R06S

VBFB18R06S概述

    VBFB18R06S N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBFB18R06S 是一款高性能的 N-通道超级结功率 MOSFET,其主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及其他高效率功率转换应用。这些应用包括高亮度放电(HID)照明、荧光灯镇流器、焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器以及可再生能源领域如太阳能光伏逆变器。

    技术参数


    以下是 VBFB18R06S 的主要技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):800V
    - 最大门源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (ID):25°C 下为 6A,在 100°C 下为 4A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):18A
    - 最大耗散功率 (PD):210W
    - 反向二极管电压斜率 (dV/dt):50V/ns
    - 雪崩能量 (EAS):580mJ
    - 热阻 (RthJA):62°C/W
    - 静态参数:漏源击穿电压 (VDS) 为 800V,门源阈值电压 (VGS(th)) 在 2.0V 至 4.0V 之间,零门电压漏极电流 (IDSS) 为 1μA。
    - 动态参数:输入电容 (Ciss) 为 2600pF,输出电容 (Coss) 为 81pF,反向转移电容 (Crss) 为 9pF,总栅极电荷 (Qg) 为 122nC。
    - 其他特性:门源电荷 (Qgs) 为 16nC,门极电阻 (Rg) 为 0.7Ω,门极-漏极电荷 (Qgd) 为 20nC,开关时间 (td(on), tr, td(off), tf) 分别为 2-44ns 和 24-48ns。

    产品特点和优势


    - 低优值系数 (Ron x Qg):显著减少切换损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):有效降低开关损耗。
    - 减小的开关和导通损耗:提高整体能效。
    - 超低栅极电荷 (Qg):进一步提升能效。
    - 额定雪崩能量 (UIS):提供高可靠性。

    应用案例和使用建议


    VBFB18R06S 在多种高要求的应用场景中表现出色,例如:
    - 服务器和电信电源:适合高功率密度的设计。
    - 工业应用:在焊接、感应加热等应用中提供可靠的电力控制。
    使用建议:
    - 在高电流和高温环境下使用时,确保散热设计良好。
    - 考虑到低栅极电荷,建议使用高速驱动电路以优化切换性能。

    兼容性和支持


    VBFB18R06S 与大多数现代电子系统兼容,制造商提供详尽的技术支持,包括技术文档、样品和定制解决方案。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间运行导致过热。
    解决方案:改善散热系统,确保良好的通风和足够的散热片面积。
    - 问题:在高频应用中表现不佳。
    解决方案:选择合适的驱动电路,以优化开关速度和能效。

    总结和推荐


    VBFB18R06S 是一款专为高效率、高可靠性设计的 N-通道超级结功率 MOSFET。它在众多应用场景中表现出色,特别适用于服务器和电信电源、开关模式电源以及可再生能源领域。推荐在需要高性能和可靠性的设计中采用这款产品。

VBFB18R06S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 800V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB18R06S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB18R06S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB18R06S VBFB18R06S数据手册

VBFB18R06S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.4458
10+ ¥ 5.8702
30+ ¥ 5.5415
100+ ¥ 4.8803
4000+ ¥ 4.6962
12000+ ¥ 4.6041
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