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VBFB17R08S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,8A,RDS(ON),0.550Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-VBFB17R08S TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB17R08S

VBFB17R08S概述

    VBFB17R08S N-Channel 700V Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    VBFB17R08S是一款高性能的N沟道700V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),能够在多种应用中提供高效的开关性能。这款MOSFET广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、高能效照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯)、工业设备(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统和太阳能光伏逆变器)等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 700 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 (TJ=150℃) | ID | - | 8 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 24 | - | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 370 | - | mJ |
    | 最大耗散功率 | PD | - | 190 | - | W |
    | 最大结到环境热阻 | RthJA | - | 62 | - | °C/W |
    | 最大结到壳体热阻 | RthJC | - | 0.65 | - | °C/W |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 输入电容 | CISS | - | 2600 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 81 | - | pF |
    | 有效输出电容时间 | C0(t) | - | 296 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 43 | 122 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)典型值为0.550Ω(VGS=10V,25℃),能够显著降低导通损耗。
    - 超低栅极电荷:Qg典型值为43nC,有助于减少开关过程中的能量损失。
    - 低输入电容:CISS典型值为2600pF,有助于加快开关速度。
    - 优化的雪崩能力:EAS达到370mJ,确保在恶劣条件下的可靠运行。
    - 高速响应:trr(反向恢复时间)小于416ns,提高系统的整体效率。

    4. 应用案例和使用建议


    VBFB17R08S非常适合用于高能效的电力转换应用。例如,在开关电源(SMPS)中,它可以减少开关损耗,提高效率。在电机驱动和焊接设备中,其快速的开关性能可以有效降低能耗并提高可靠性。为了进一步优化性能,建议在设计时考虑适当的散热措施以避免过热,同时确保电路中的栅极驱动电路能够稳定地控制栅极电荷。

    5. 兼容性和支持


    VBFB17R08S设计用于与各种电源系统兼容。制造商提供了详细的技术支持和文档,包括安装指南和常见问题解答,以帮助客户更好地理解和使用该产品。此外,公司还提供样品和技术支持服务,帮助客户进行原型设计和测试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保最佳散热?
    解决方案:使用合适的散热器和良好的热管理策略,确保MOSFET工作温度不超过最大额定值。
    - 问题:如何优化栅极驱动?
    解决方案:通过选择适当的栅极电阻(Rg),可以减少开关过程中的振铃现象,并优化开关时间和延迟时间。
    - 问题:如何减少栅极电荷的影响?
    解决方案:使用具有较低栅极电荷特性的MOSFET,如VBFB17R08S,或者优化电路设计以减少不必要的开关次数。

    7. 总结和推荐


    VBFB17R08S N-Channel 700V超级结功率MOSFET凭借其出色的性能参数和广泛的应用范围,在多种电力转换应用中表现出色。其低导通电阻和超低栅极电荷特性使其成为高能效应用的理想选择。如果您正在寻找一款高效、可靠的MOSFET,强烈推荐使用VBFB17R08S。建议在使用前详细阅读技术手册,以充分利用其特性并确保最佳性能。

VBFB17R08S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 700V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 550mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB17R08S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB17R08S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB17R08S VBFB17R08S数据手册

VBFB17R08S封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.1162
10+ ¥ 4.6594
30+ ¥ 4.3984
100+ ¥ 3.8737
4000+ ¥ 3.7275
12000+ ¥ 3.6544
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