处理中...

首页  >  产品百科  >  VBE16R15S

VBE16R15S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,15A,RDS(ON),0.28Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO252
供应商型号: VBE16R15S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE16R15S

VBE16R15S概述


    产品简介


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    本文将详细介绍一款高性能的N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET(型号为VBE16R15S)。该器件主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯管),同时也广泛应用于工业领域,如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器以及可再生能源系统中的光伏逆变器等。

    技术参数


    以下是VBE16R15S的主要技术参数:
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 VDS 600 | - | - | V |
    | 门源阈值电压 VGS(th) 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏源导通电阻 RDS(on) | VGS = 10 V | - | 0.240 | - | Ω |
    | 输入电容 Ciss | VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz | - | 1900 | - | pF |
    | 输出电容 Coss | - | - | 51 | - | pF |
    | 反向传输电容 Crss | - | - | 12 | - | pF |
    | 总栅极电荷 Qg | VGS = 10 V, ID = 15 A, VDS = 480 V | - | 25 | - | nC |
    | 栅极输入电阻 Rg | f = 1 MHz, 开路漏极 | 0.3 | 0.7 | 1.4 | Ω |

    产品特点和优势


    VBE16R15S具有以下几个显著的特点和优势:
    1. 低门极电荷(Qg):具有较低的栅极电荷,这有助于减少开关损耗,提升效率。
    2. 低输入电容(Ciss):具有低输入电容,能减少高频干扰,增强电路稳定性。
    3. 降低的开关和传导损耗:独特的结构设计使得其在高频率下的开关损耗和传导损耗大大降低。
    4. 重复性瞬态能量耐受能力:最高可达320 mJ,确保在复杂的应用环境下具备良好的可靠性。
    这些特性使得VBE16R15S成为在高性能电力转换系统中的理想选择,能够提高系统效率并减少能耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - Server and telecom power supplies:VBE16R15S可以用于服务器和通信电源系统中,通过其高效的开关性能来提高电源转换效率。
    - Switch mode power supplies (SMPS):适用于需要高效能转换的开关电源,VBE16R15S的低损耗特性使其成为不二之选。
    - Power factor correction power supplies (PFC):在功率因数校正电源中,VBE16R15S能够提供更高的功率密度和更稳定的输出。
    - Industrial applications:适用于焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及光伏逆变器等工业设备,能够在恶劣的工作环境中保持优异的性能。
    使用建议
    为了充分发挥VBE16R15S的性能,在具体应用中应注意以下几点:
    1. 选择合适的散热器:由于其高功率密度,需要采用良好的散热措施以避免过热。
    2. 优化电路布局:合理规划电路板布局,确保栅极信号走线尽可能短且屏蔽良好,以减少高频噪声的影响。
    3. 选择合适的驱动电路:使用专为快速开关设计的驱动电路,以充分利用VBE16R15S的低门极电荷特性。

    兼容性和支持


    VBE16R15S设计用于广泛的电源应用中,兼容多种现有的电路设计。制造商提供详细的技术支持和维护服务,确保用户在使用过程中能够获得必要的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 过热保护:如果遇到过热问题,检查散热器是否安装正确,并确保系统有适当的通风和散热。
    2. 高频噪声干扰:确保电路布局合理,尽量缩短栅极信号走线,并使用适当的滤波器减少干扰。
    3. 驱动电路故障:建议使用专用的MOSFET驱动芯片,如UCC27531或LTC4444,以保证快速准确的开关控制。

    总结和推荐


    综上所述,VBE16R15S是一款高性能的N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET,适用于各种电力转换和工业应用。凭借其卓越的开关特性和低损耗,它能有效提高系统的整体效率和可靠性。建议在需要高效能、低损耗的电力转换系统中使用此产品。

VBE16R15S参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 15A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE16R15S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE16R15S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE16R15S VBE16R15S数据手册

VBE16R15S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 5.9205
100+ ¥ 5.4819
500+ ¥ 5.0434
2500+ ¥ 4.8241
库存: 30000
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 29.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336