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VBN16R20S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,20A,RDS(ON),0.150Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO262
供应商型号: VBN16R20S TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBN16R20S

VBN16R20S概述

    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高性能的功率开关器件,适用于各种高效率电源转换应用。它具有低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),能够在保持低功耗的同时实现高效的开关性能。此器件广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各类照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。

    技术参数


    - 工作电压:最高耐压 600V
    - 最大持续漏电流(TJ=150°C):20A
    - 脉冲漏电流(限于最大结温):12A
    - 最大工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 最大单脉冲雪崩能量:900mJ
    - 热阻:
    - 最大结-壳热阻:- 62°C/W
    - 最大结-环境热阻:- 62°C/W
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):2300pF
    - 输出电容(Coss):330pF
    - 反向传输电容(Crss):4pF
    - 有效输出电容,能量相关(Co(er)):63pF
    - 有效输出电容,时间相关(Co(tr)):213pF
    - 总门极电荷(Qg):62nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):3nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):47nC
    - 动态开关特性:
    - 开启延迟时间(td(on)):18ns
    - 上升时间(tr):24ns
    - 关断延迟时间(td(off)):80ns
    - 下降时间(tf):12ns

    产品特点和优势


    1. 低电阻率和低电荷:低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg)显著减少了切换和传导损耗,提高了整体效率。
    2. 低输入电容:低输入电容(Ciss)有助于减少门极驱动损耗,提高系统整体性能。
    3. 高可靠性:经过严格测试,确保在极端条件下仍能稳定工作,适合恶劣环境。
    4. 优化设计:超结结构使得该器件具备出色的热稳定性,从而提升了长期运行的可靠性。

    应用案例和使用建议


    1. 服务器和电信电源供应:在此类电源系统中,该器件可以有效地将高电压转化为低电压,同时保持较高的转换效率。建议在设计时考虑散热问题,以确保器件长期稳定运行。
    2. 开关模式电源(SMPS):此器件能够实现快速开关,减少损耗,适用于高频率工作环境。使用时需注意确保门极驱动电路的匹配,以实现最佳性能。
    3. 荧光灯镇流器:在高频工作的荧光灯镇流器中,该器件能够提供稳定的反向恢复性能,减少电磁干扰。建议选择合适的驱动电路以保证开关速度和可靠性。

    兼容性和支持


    该器件与多种标准电路板兼容,适用于不同类型的电源系统。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南和常见问题解答。如有疑问,可随时联系服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开机后无法正常工作
    - 解决方法:检查是否有正确的电压输入,确认电源线连接是否牢固。
    2. 问题:器件过热
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,增加外部散热片或改进通风条件。
    3. 问题:开关频率不稳
    - 解决方法:确认门极驱动电路是否匹配,调整驱动电阻值。

    总结和推荐


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 在高性能电源转换应用中表现出色,尤其适用于需要高效、可靠和高功率密度的场合。其低导通电阻和低门极电荷的特性使其成为市场上同类产品的佼佼者。我们强烈推荐使用该器件,特别是在需要高性能电源解决方案的应用场景中。

VBN16R20S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 150mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 20A
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBN16R20S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBN16R20S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBN16R20S VBN16R20S数据手册

VBN16R20S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 9.8669
100+ ¥ 9.1361
500+ ¥ 8.4052
1000+ ¥ 8.0397
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