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VBMB16R32S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,32A,RDS(ON),0.085Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB16R32S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB16R32S

VBMB16R32S概述


    产品简介


    VBMB16R32S N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 是一款高性能的功率开关器件,专为高效率应用设计。该器件属于超级结MOSFET,具有极低的导通电阻(RDS(on))和出色的动态性能。适用于服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明(包括高强度放电灯HID和荧光灯)、以及各种工业设备。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 600 | - | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 4.5 | V |
    | 门源漏电流 | IDSS | - | - | 1 | μA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.085 | - | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | 3370 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 80 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | QG | - | 8.2 | - | nC |
    | 反向恢复时间 | TRR | - | 475 | - | ns |
    | 逆向恢复电荷 | QRR | - | 5.8 | - | μC |

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻(RDS(on)):使得器件能够在高电流下高效运行,降低能耗。
    - 低输入电容(CISS):减少了驱动器的负载,加快了开关速度。
    - 超低栅极电荷(QG):进一步降低了开关损耗,提高效率。
    - 反向恢复性能优异:快速的反向恢复时间和较低的逆向恢复电荷,提高了系统的整体可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:VBMB16R32S 用于提高电源转换效率,减少发热,延长系统寿命。
    2. 照明系统:在高强度放电灯和荧光灯中,VBMB16R32S 可实现更稳定的输出和更高的能效。
    使用建议
    - 电路设计:在设计开关模式电源时,应选择合适的栅极驱动电阻,以确保最佳的开关性能。
    - 散热管理:由于其高功率密度,需特别注意散热设计,避免过热。

    兼容性和支持


    VBMB16R32S 与市场上常见的控制电路兼容,适合多种应用。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够轻松集成到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 确认驱动电路的设计,适当调整栅极电阻。 |
    | 发热过高 | 加强散热措施,如使用散热片或风扇。 |
    | 频繁故障 | 检查应用环境是否符合器件的工作温度范围,必要时采取温度补偿措施。

    总结和推荐


    VBMB16R32S 是一款性能卓越的N沟道超级结功率MOSFET,特别适合高效率和高功率密度的应用场景。其低导通电阻、低输入电容和优异的反向恢复性能使其成为开关模式电源和照明系统的理想选择。建议在设计和使用过程中注意散热管理和驱动电路设计,以充分发挥其性能优势。综上所述,强烈推荐在需要高效率和高性能的电力系统中使用此产品。

VBMB16R32S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 32A
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB16R32S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB16R32S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB16R32S VBMB16R32S数据手册

VBMB16R32S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 16.6844
100+ ¥ 15.4485
500+ ¥ 14.2126
1000+ ¥ 13.5947
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