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VBMB16R26S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,26A,RDS(ON),0.115Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB16R26S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB16R26S

VBMB16R26S概述


    产品简介


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    该产品是一种N沟道超级结功率MOSFET,具有出色的开关特性和低导通电阻(RDS(on)),适用于高电压和高效率的应用。它特别适合用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应器以及照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯)。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 600 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 26 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 16 | - | - | A |
    | 击穿能量 | EAS | - | - | 980 | mJ |
    | 最大耗散功率 | PD | - | - | 120 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 漏源电压斜率 | dV/dt | - | - | 50 | V/ns |

    产品特点和优势


    该产品具有以下显著特点和优势:
    - 低损耗:低导通电阻(RDS(on))和低栅输入电容(Ciss)有效减少了开关和传导损耗。
    - 快速响应:超低栅极电荷(Qg)和良好的瞬态响应时间使该产品能够快速开关。
    - 可靠性高:重复性的雪崩能(UIS)确保了产品在高压应用中的可靠性。
    这些特性使得该产品成为高效电源设计的理想选择,在多个关键应用中表现出色,特别是在需要高效率和低损耗的场合。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于多种电源转换设备和照明系统,例如服务器电源、电信设备和高功率灯具。在实际使用中,需要确保在高负载条件下的稳定运行,并关注散热管理以避免过热损坏。对于不同的应用场景,建议进行详细的热仿真和性能测试,以确保产品正常工作。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的通用性和兼容性,可以方便地与其他常见的电子元器件配合使用。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决问题并进行定制开发。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保正确的散热措施,例如使用散热片或风扇来降低结温。 |
    | 开关损耗过高 | 检查电路布局和驱动信号质量,优化电路以减少寄生效应。 |
    | 性能不达标 | 确认输入电压和电流是否符合规格要求,检查是否有电气损坏现象。 |

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的适用范围,在高效率电源和高功率照明系统的设计中展现出巨大潜力。建议在需要高可靠性和高性能的电源转换设备中优先选用此产品,确保系统的长期稳定运行。

VBMB16R26S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 26A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB16R26S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB16R26S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB16R26S VBMB16R26S数据手册

VBMB16R26S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 13.6348
100+ ¥ 12.6249
500+ ¥ 11.6149
1000+ ¥ 11.1099
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起订量: 5 增量: 1000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
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