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VBE165R11S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,11A,RDS(ON),420mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO252
供应商型号: VBE165R11S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE165R11S

VBE165R11S概述


    产品简介


    N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET
    本产品是一款高性能的N沟道650V超级结功率MOSFET,主要用于高效能电源转换系统。它的核心功能在于提供极低的导通电阻(Ron)和门极电荷(Qg),从而实现高效节能的应用场景。
    主要功能
    - 低导通电阻(Ron)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 高效开关和导通损耗控制
    - 超低门极电荷(Qg)
    - 冲击耐受能力(UIS)
    应用领域
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正(PFC)电源
    - 照明系统(如高亮度放电灯和荧光灯)
    - 工业设备

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | 漏源电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 门源电压 | VGS | ±30 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 11 | 9.7 | 55 | A |
    | 重复脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 55 | A |
    | 击穿能量 | EAS | - | - | 132 | mJ |
    | 最大耗散功率 | PD | 83/83/31 | - | - | W |
    | 最大温度范围 | TJ, Tstg | -55 | +150 | °C |
    | 反向恢复时间 | trr | - | - | 270 | ns |

    产品特点和优势


    这款MOSFET的主要优势在于其超低的导通电阻(Ron)和门极电荷(Qg),能够有效减少开关损耗和传导损耗。此外,其高效率和高可靠性使其适用于多种工业和消费电子应用。其出色的门极特性使得驱动电路更加简单,降低了整体系统的复杂性和成本。

    应用案例和使用建议


    该产品在电源管理系统中表现优异,特别适合用于服务器和通信电源。例如,在数据中心的应用中,由于其高效的开关特性,可以显著提高电源系统的整体能效。使用建议包括确保在极端环境下依然能够正常工作,尤其是在高温条件下需要良好的散热设计。

    兼容性和支持


    该MOSFET具有良好的通用性,可以与市场上大多数电源转换器和其他相关电子设备兼容。制造商提供了全面的技术支持和维修服务,确保用户能够在安装和运行过程中得到有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 在高温环境下运行时,MOSFET温度过高。
    - 解决方法: 使用散热片或风扇进行有效散热,确保设备在安全温度范围内运行。

    2. 问题: 设备无法达到预期性能。
    - 解决方法: 检查接线是否正确,确保所有连接点接触良好,重新配置相关电路参数。

    3. 问题: MOSFET出现故障。
    - 解决方法: 检查输入电压是否稳定,确认是否有过压或过流现象,及时更换损坏的部件。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 650V超级结功率MOSFET在高效能电源管理领域表现出色,具有非常优秀的导通特性和高可靠性。它适用于各种工业和商业应用,并且拥有良好的技术支持和售后服务。因此,我们强烈推荐使用该产品以满足高性能电源转换的需求。

VBE165R11S参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 11A
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 420mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE165R11S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE165R11S数据手册

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VBE165R11S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.8205
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