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NVB190N65S3F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO263;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(on)=160mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 14M-NVB190N65S3F TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVB190N65S3F

NVB190N65S3F概述

    NVB190N65S3F N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVB190N65S3F 是一款高性能的 N 沟道超级结功率 MOSFET,具备卓越的开关特性和低导通电阻(RDS(on))。这种器件特别适用于需要高效能电力转换的应用场合,如服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明系统(包括高强度放电灯 HID 和荧光灯镇流器)。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS(最大结温)= 650V
    - 导通电阻:RDS(on) @ 25°C, VGS = 10V = 0.160Ω
    - 最大连续漏极电流:ID(TC = 25°C)= 20A, TC = 100°C = 12A
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 60A
    - 热阻抗:RthJA = 62°C/W, RthJC = 0.7°C/W
    - 反向雪崩能量:EAS = 900mJ
    - 最大耗散功率:PD = 180W
    - 工作结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55°C 到 +150°C
    - 最大结温至环境温度梯度:1.67W/°C
    - 门限电压范围:VGS(th) = 3V 至 5V
    - 输入电容:Ciss = 2600pF @ VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz
    - 总门电荷:Qg = 46nC @ VGS = 10V, ID = 8A, VDS = 520V
    - 上升时间:tr = 24ns @ VDD = 520V, ID = 8A, VGS = 10V, Rg = 9.1Ω

    3. 产品特点和优势


    - 低RDS(on) x Qg:这款 MOSFET 具有出色的开关性能,能够显著降低系统的整体损耗。
    - 低输入电容:这有助于减少充电损耗,提高系统的效率。
    - 超低门电荷:进一步提高了开关速度,减少了能耗。
    - 高雪崩耐受能力:能够处理瞬态电压尖峰,保证长期可靠运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:用于电源转换器,提高效率并减少发热。
    - 开关模式电源供应器:利用其快速开关特性,可以设计出更小体积的电源模块。
    - 荧光灯镇流器:结合其高频开关特性,可有效提高灯具的稳定性和使用寿命。
    - 建议:确保使用适合的驱动电路以充分利用其快速开关性能,并选择适当的散热措施以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - NVB190N65S3F 支持多种标准封装,易于集成到现有的设计中。
    - 厂商提供详尽的技术文档和客户支持,帮助解决实际应用中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下,MOSFET 的性能是否会下降?
    A: 由于其优异的热设计,NVB190N65S3F 在 150°C 的结温下仍能保持良好的性能。
    - Q: 如何防止 MOSFET 在启动时产生过高的瞬态电压?
    A: 可以使用缓冲电路来吸收瞬态电压,确保安全运行。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NVB190N65S3F 是一款高效能、低损耗的 N 沟道超级结 MOSFET,非常适合于各种电力转换应用。其卓越的性能指标和广泛的适用性使其在市场上具有强大的竞争力。强烈推荐给寻求高性能 MOSFET 解决方案的设计工程师们。如果您对本文有任何疑问或需要进一步的信息,请联系服务热线:400-655-8788。

NVB190N65S3F参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVB190N65S3F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVB190N65S3F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NVB190N65S3F NVB190N65S3F数据手册

NVB190N65S3F封装设计

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