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VBMB165R26S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,26A,RDS(ON),0.115Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB165R26S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB165R26S

VBMB165R26S概述


    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    本产品是一种N沟道650V超级结功率MOSFET,适用于各种高压和高电流的应用场合。它具有极低的导通电阻和快速开关特性,能够在高压环境下实现高效的能量转换。适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 650V
    - 最大工作温度(TJ): 150°C
    - 最大连续漏电流(ID): 26A @ 25°C
    - 脉冲漏电流(IDM): 16.78A
    - 静态参数:
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.115Ω @ VGS=10V, ID=8.5A
    - 源漏二极管电流(IS): 26A
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss): 2800pF @ VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz
    - 输出电容(Coss): 80pF
    - 门电荷(Qg): 8.4nC @ VGS=10V, ID=8A, VDS=520V
    - 上升时间(tr): 24ns
    - 下降时间(tf): 12ns
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境的热阻抗(RthJA): 62°C/W
    - 最大结到外壳的热阻抗(RthJC): 0.7°C/W
    - 封装类型: TO-220F

    产品特点和优势


    - 低通态电阻(RDS(on)): 具有极低的导通电阻,从而显著减少开关和导通损耗。
    - 低输入电容(Ciss): 降低了栅极充电时间,提升了开关速度。
    - 超低栅极电荷(Qg): 有助于降低开关损耗,提高能效。
    - 高可靠性: 经过多次重复测试,具备稳定的电压耐受能力和电流承载能力。
    - 易于集成: 封装设计便于安装和散热,适应多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 服务器和电信电源: 为数据中心提供高效稳定的电力供应。
    - 开关模式电源(SMPS): 用于便携式设备和消费电子产品中。
    - 功率因数校正电源(PFC): 改善输入电流波形,提高效率。
    - 照明系统: 包括高强放电灯(HID)和荧光灯球泡。
    - 工业应用: 广泛应用于工业控制和自动化系统。
    使用建议
    - 散热管理: 由于高工作电流和高电压,需确保良好的散热条件,避免过热损坏。
    - 电路设计: 需要配合相应的驱动电路,以实现最佳开关性能。
    - 负载匹配: 确保负载不超过其额定值,避免过载。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品适用于大多数标准驱动电路,可以轻松集成到现有系统中。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和故障排除手册。若需进一步技术支持,可联系厂商服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 检查散热措施,降低开关频率或增加散热片。 |
    | 电压超出范围导致损坏 | 确保输入电压在额定范围内,加装电压保护电路。 |
    | 电流波动过大 | 检查负载是否稳定,增加滤波电容。 |

    总结和推荐


    综合评估
    该款N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET在设计上注重性能和可靠性,具有极低的导通电阻和快速开关特性,非常适合高压和高电流应用。其优秀的散热性能和易用性使其成为多种应用场景的理想选择。
    推荐使用
    强烈推荐使用此产品,特别是对于需要高效能、高可靠性的应用领域。在购买前,请详细阅读技术手册,确保产品符合您的具体需求。

VBMB165R26S参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 26A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB165R26S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB165R26S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB165R26S VBMB165R26S数据手册

VBMB165R26S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 14.3519
100+ ¥ 13.2888
500+ ¥ 12.2257
1000+ ¥ 11.6941
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