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VBL18R20S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,20A,RDS(ON),240mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO263
供应商型号: VBL18R20S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL18R20S

VBL18R20S概述

    N-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFET VBL18R20S 技术手册

    产品简介


    VBL18R20S 是一款高性能的 N-Channel 超级结功率 MOSFET,适用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明等领域。它具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低栅极电荷(Qg),使得在高频切换时能够显著减少开关和传导损耗,从而提高效率并减少热量产生。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 800 | V |
    | 导通电阻 | 0.24 | Ω |
    | 漏源击穿电压 | 800 | V |
    | 栅源阈值电压 | 2 - 4 | V |
    | 最大栅源泄漏电流 | ± 100 nA
    | 零栅压漏电流 | 1 μA
    | 最大连续漏极电流 | 20 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | 76 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 691 | mJ |
    | 最大功率耗散 | 250 | W |
    | 最高结温和存储温度 | -55 to +150 | °C |
    | 热阻 | 62 | °C/W|

    产品特点和优势


    VBL18R20S 的关键优势包括:
    - 低导通电阻和低栅极电荷,有效降低能耗。
    - 低输入电容和超低栅极电荷,有助于提高高频工作的效率。
    - 高耐压能力和较强的雪崩能量承受能力,使其适用于高压、高可靠性要求的应用场合。
    - 优异的热性能设计,可以有效管理器件在高温条件下的散热问题。

    应用案例和使用建议


    VBL18R20S 主要应用于服务器和电信电源系统、开关电源、PFC 和各类照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)以及工业控制设备中。建议在高频切换条件下使用此器件,以最大化其效率优势。
    对于具体应用,根据图 1 到图 5 中展示的典型特性曲线,可以进一步优化驱动电路的设计。例如,在图 4 中可以看到,当温度升高时,导通电阻略有增加,因此需要适当调整驱动电压来维持最佳工作状态。

    兼容性和支持


    VBL18R20S 与同类功率 MOSFET 设备具有良好的兼容性。制造商提供详细的使用指南和技术支持,以确保客户能够正确安装和使用该产品。此外,还可以通过制造商的服务热线获取更多的技术支持和咨询。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,常见的使用问题及其解决方案包括:
    - 问题: 开关过程中过高的漏极电压导致器件损坏。
    - 解决方案: 选择合适的栅极电阻(Rg)以限制瞬态电压。
    - 问题: 在高温环境下器件无法正常工作。
    - 解决方案: 使用散热片或其他冷却措施,确保器件在安全的工作温度范围内运行。
    - 问题: 栅极驱动信号不稳定导致开关失效。
    - 解决方案: 采用专用的驱动器并确保电路布局合理,避免寄生电感的影响。

    总结和推荐


    综上所述,VBL18R20S 是一款出色的 N-Channel 功率 MOSFET,特别适合在高频、高压的应用环境中使用。它的低导通电阻和低栅极电荷设计显著提高了效率和可靠性,而其优良的热管理和坚固的结构也保证了长时间稳定运行。我们强烈推荐 VBL18R20S 用于需要高效能、高可靠性的电力转换应用中。

VBL18R20S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBL18R20S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL18R20S数据手册

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VBL18R20S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 14.1194
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