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VBP18R20S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=800V;ID =20A;RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在可再生能源领域,该器件可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能转换为可用的交流电能,推动清洁能源发展。
供应商型号: 14M-VBP18R20S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP18R20S

VBP18R20S概述

    # VBP18R20S N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    VBP18R20S 是一款 N-Channel 800V 超级结(Super Junction)功率 MOSFET。它特别适用于需要高效率和低损耗的应用场景,广泛应用于服务器、电信电源供应系统、开关模式电源供应系统(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应系统以及照明系统等领域。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 低输入电容(Ciss)
    - 低门极电荷(Qg)
    - 高雪崩能量耐受能力(EAS)

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压 | -30 +30 | V |
    | 漏源电压 800 | V |
    | 漏极连续电流 20 | A |
    | 漏极脉冲电流 60 | A |
    | 漏源间体二极管电流 20 | A |
    | 热阻(结到环境) 62 | °C/W |
    | 导通电阻 0.220 Ω |
    | 输入电容 2500 pF |
    | 输出电容 330
    | 反向传输电容 -4
    | 有效输出电容(能) 63
    | 有效输出电容(时) 213
    | 总栅极电荷 42 nC |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻和门极电荷:通过减少导通电阻和门极电荷,显著降低了功率损耗和开关损耗。
    - 超低输入电容:这使得VBP18R20S能够在高频应用中实现更高的效率。
    - 高雪崩能量耐受能力:保证了在极端条件下器件的稳定性和可靠性。
    - 超快恢复时间:在开关过程中减少了能量损失,提升了整体性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    VBP18R20S 广泛用于以下几个应用领域:
    - 服务器和电信电源供应系统:在这些高功率密度应用中,VBP18R20S 的高效率和低损耗有助于提升系统的整体性能。
    - 开关模式电源供应系统(SMPS):这类系统要求快速响应和高效率,VBP18R20S 可以很好地满足这些需求。
    - 功率因数校正电源供应系统(PFC):通过降低开关损耗,可以提高整个系统的能效。
    - 照明系统:如 HID 和荧光灯照明,VBP18R20S 的高效运行可以显著延长灯具寿命并降低能耗。
    使用建议
    - 优化散热设计:由于 VBP18R20S 在高温下工作时性能会有所下降,因此必须采取有效的散热措施来确保最佳性能。
    - 注意门极驱动信号:确保门极驱动信号足够强且具有适当的上升沿时间,以避免误触发和振荡现象。
    - 定期检查和维护:特别是在高温、高湿度环境下,应定期检查连接器和焊点,确保其良好状态。

    兼容性和支持


    VBP18R20S 采用标准 TO-247 封装,易于与其他同类电子元件和设备兼容。厂商提供完善的技术支持,包括但不限于数据手册、应用指南和技术咨询服务。用户可以通过拨打服务热线 400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过低导致功耗增加 | 优化电路设计,选择合适的门极电阻和驱动电压,提高开关频率。 |
    | 开关过程中出现异常温度升高 | 检查散热设计,确保充分散热,适当降低工作负荷。 |
    | 输出波形不稳定,出现毛刺 | 优化电路布局,减小杂散电感,使用合适容量的旁路电容。 |

    总结和推荐


    VBP18R20S N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 在多种高效率应用中表现出色,特别是在服务器、电信、照明等领域具有显著的优势。其低导通电阻和门极电荷特性,使得其非常适合用于要求高效率和低损耗的场合。通过优化设计和良好的技术支持,VBP18R20S 是一款值得推荐的产品。

VBP18R20S参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 800V
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 1
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP18R20S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP18R20S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP18R20S VBP18R20S数据手册

VBP18R20S封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 20.4648
10+ ¥ 18.6376
30+ ¥ 17.5938
100+ ¥ 15.4948
300+ ¥ 14.9101
900+ ¥ 14.6177
库存: 5
起订量: 1 增量: 300
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