处理中...

首页  >  产品百科  >  FDG6306P

FDG6306P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-1.5A,RDS(ON),230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: 14M-FDG6306P SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDG6306P

FDG6306P概述

    FDG6306P-VB 双P沟道20V(D-S)MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDG6306P-VB 是一款双P沟道20V(D-S)MOSFET,适用于多种电子设备。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理和汽车电子等领域。

    技术参数


    以下是FDG6306P-VB的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): -20 V
    - 栅源电压 (VGS): ±12 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C): -1.6 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -2.5 A
    - 最大功率耗散: 1.4 W (TC = 70 °C)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): -20 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): -0.5 V 至 -1.5 V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): 1 μA (VDS = -20 V, VGS = 0 V)
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): -8 A (VDS ≤ -5 V, VGS = -4.5 V)
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)): 0.155 Ω (VGS = -4.5 V, ID = -2.5 A)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 210 pF
    - 输出电容 (Coss): 45 pF
    - 门电荷 (Qg): 2.7 nC (VDS = -15 V, VGS = -4.5 V)
    - 门电阻 (Rg): 2 Ω (f = 1 MHz)
    - 热阻率
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 93 °C/W (典型值)
    - 最大结到引脚热阻 (RthJF): 75 °C/W (典型值)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: FDG6306P-VB 具有非常低的导通电阻,可有效减少功耗和提高效率。
    - 高可靠性: 采用TrenchFET技术,确保在高温环境下仍能保持良好的性能。
    - 环保设计: 符合RoHS和无卤素标准,适用于各种环保要求严格的应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源: 在高频开关电源中,FDG6306P-VB 可以显著降低损耗,提高转换效率。
    - 电机驱动: 由于其低导通电阻和高电流处理能力,非常适合用于电机驱动电路。
    - 电池管理: 在电池管理系统中,FDG6306P-VB 可以提供稳定的电流控制,延长电池寿命。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高功率应用中。
    - 选择合适的栅极驱动器以避免过高的开关损耗。
    - 注意电路布局,避免寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FDG6306P-VB 与大多数标准电路板兼容,易于集成。
    - 支持: VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障排查和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致温度升高。
    - 解决方案: 优化电路设计,增加散热措施,如使用散热片或风扇。

    - 问题: 高温下性能下降。
    - 解决方案: 选择更高热阻等级的产品,或者改进散热设计。

    总结和推荐


    FDG6306P-VB 是一款高性能的双P沟道20V MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性及环保特性。适用于多种电子设备,尤其在开关电源、电机驱动和电池管理领域表现出色。强烈推荐在需要高效、稳定电流控制的应用中使用。
    以上内容基于提供的FDG6306P-VB数据表整理而成,详细介绍了该产品的技术规格、应用案例和使用建议。希望对您的技术选型有所帮助。

FDG6306P参数

参数
栅极电荷 2nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 10V,75A
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 600mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDG6306P厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDG6306P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDG6306P FDG6306P数据手册

FDG6306P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4774
库存: 200
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.38
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336