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VBMB16R15S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,15A,RDS(ON),280mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB16R15S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB16R15S

VBMB16R15S概述


    产品简介


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    该产品是一款用于高压直流转换的N沟道超级结功率MOSFET。具有低导通电阻(Ron)和超低栅极电荷(Qg),适用于各种高压电源转换应用。其核心优势在于能够显著降低开关损耗和传导损耗,从而提高系统的效率和可靠性。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):600 V
    - 最大连续漏电流 (ID):15 A(25°C时),9.4 A(100°C时)
    - 脉冲漏电流 (IDM):45 A
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大值为0.28 Ω(在25°C时)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为43 nC
    - 最大耗散功率 (PD):156 W(峰值温度300°C)
    - 最大栅源电压 (VGS):±30 V
    - 绝对最大额定值 (RthJA):最大结点到环境热阻为60°C/W

    产品特点和优势


    - 低图腾-美德 (FOM) Ron x Qg:这种低电阻与低栅极电荷的结合,使得这款MOSFET非常适合高频率和高效率的应用。
    - 低输入电容 (Ciss):降低了MOSFET的开关速度,减少了寄生效应。
    - 超低栅极电荷 (Qg):进一步减小了开关损耗,适合于高频应用。
    - 雪崩能量等级 (UIS):能够在极端条件下保持稳定,保证长期可靠运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:在这些应用中,需要高效率和高可靠性。这款MOSFET能够有效降低系统功耗并提高电源转换效率。
    - 开关模式电源 (SMPS):由于其低导通电阻和低栅极电荷,适合用于要求高效率和快速响应的应用。
    - 照明应用:如高强度放电灯 (HID) 和荧光灯管,需要高可靠性且能处理大电流的应用。
    - 工业应用:如电机控制、变频器等,需要能在恶劣环境下工作的高性能元件。
    使用建议:在选择使用这款MOSFET时,建议确保其散热措施良好,以避免因过热导致的故障。此外,在设计电路时应注意栅极驱动的设计,以确保最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可以与多种高压电源转换电路集成。VBsemi公司提供了详细的技术支持文档和在线客服,帮助用户解决可能遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:MOSFET发热严重,应该如何解决?
    - 答:请确保有足够的散热措施,如加装散热片,并保持适当的电路布局以减少热阻。如果散热仍然不够,则考虑增加散热风扇或其他冷却装置。
    2. 问:在高频率应用中,为什么会有明显的开关损耗?
    - 答:可能是栅极电容过大导致的。建议优化栅极驱动电路,降低栅极电容,或者选择更适合高频率应用的产品型号。
    3. 问:在极端环境下,如何保证MOSFET的可靠性?
    - 答:建议在设计时充分考虑工作环境条件,例如通过提高散热能力和优化电路布局来确保MOSFET在高温、高湿度等极端环境下仍能稳定工作。

    总结和推荐


    VBM16R15S / VBMB16R15S / VBE16R15S是一款性能卓越的N-Channel 600V超级结功率MOSFET,特别适合于高效率和高可靠性要求的应用场合。其低导通电阻和超低栅极电荷的特点使其成为电源转换领域的理想选择。如果你正在寻找一个能在各种复杂应用环境中稳定工作的MOSFET,这款产品将是你的不二之选。强烈推荐使用此产品。

VBMB16R15S参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 15A
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ@ 10V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB16R15S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB16R15S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB16R15S VBMB16R15S数据手册

VBMB16R15S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 8.0729
100+ ¥ 7.475
500+ ¥ 6.877
1000+ ¥ 6.578
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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