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VBMB2311

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-40A,RDS(ON),11.7mΩ@10V,14.04mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V);TO220F
供应商型号: 14M-VBMB2311 TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB2311

VBMB2311概述


    产品简介


    P-Channel 30V MOSFET
    产品类型: P-通道30伏特(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:
    - 适用于高电压环境下的开关操作
    - 用于各种电路设计中的功率控制和信号放大
    应用领域:
    - 工业自动化设备
    - 通信设备
    - 汽车电子
    - 电源管理模块

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 集电极-源极击穿电压 | -30 | V |
    | 栅极阈值电压 | -1 ~ -3 | V |
    | 零栅极电压漏电流 | -1 | V |
    | 最大连续漏极电流 | -45 | A |
    | 脉冲漏极电流 | -260 | A |
    | 击穿电流 | -55 | A |
    | 冲击能量 | 190 | mJ |
    | 热阻抗 | 62.5 | °C/W |
    | 最大工作温度 | 175 | °C |

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 符合RoHS指令2002/95/EC标准
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),在-10V VGS下为0.01Ω
    - 宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)
    - 优秀的热稳定性,能够在高功率下长期稳定工作
    优势:
    - 适用于多种复杂的应用环境,可靠性强
    - 低功耗,可显著提高系统效率
    - 快速响应时间,适应高速开关需求

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一台交流驱动器中,这款MOSFET被用于负载控制和电源调节,有效提高了设备的能效和可靠性。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应确保电路布局合理,避免过大的寄生电感和电容,以减少开关过程中的损耗。
    - 使用散热片或其他冷却装置,以保持MOSFET在正常工作温度范围内,避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品与其他常见的P-通道MOSFET电路具有良好的兼容性,可以方便地替换同类产品。
    - 适用的焊盘尺寸和引脚布局符合行业标准,便于集成到现有的设计中。
    支持和服务:
    - 台湾VBsemi提供全方位的技术支持,包括应用指导、故障诊断和产品维护等。
    - 客户可以通过公司官网获取详细的技术文档和设计资料。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 导通电阻过大: 检查是否安装不当,确保焊接质量和引脚接触良好。
    2. 过热保护: 使用适当的散热装置,如散热片或风扇,以维持设备的正常运行温度。
    3. 噪声干扰: 确保电路布局合理,减少杂散电感和电容的影响。
    解决方案:
    - 对于导通电阻过大,检查焊接质量和安装工艺。
    - 对于过热问题,使用合适的散热措施并监测温度。
    - 对于噪声干扰,优化电路布局和接地设计。

    总结和推荐


    总体而言,这款P-Channel 30V MOSFET在多个关键参数上表现出色,尤其是在低导通电阻和宽工作温度范围方面。它具有高可靠性和良好的市场竞争力,适合多种应用场合。综上所述,我强烈推荐使用这款产品。
    如有任何疑问或需要进一步的支持,建议联系台湾VBsemi的技术支持团队。

VBMB2311参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11.7mΩ@10V,14.04mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 40A
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB2311厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB2311数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB2311 VBMB2311数据手册

VBMB2311封装设计

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