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VBP16R26S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO247;N—Channel沟道,600V,26A,RDS(ON)=115mΩ@10V,VGS=±30V;
供应商型号: VBP16R26S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP16R26S

VBP16R26S概述

    # N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET(以下简称“MOSFET”)是一种高性能功率半导体器件,广泛应用于各种高效率电源转换场合。该MOSFET具有极低的导通电阻和输入电容,能够显著减少开关损耗和导通损耗,从而提高整体系统的能效。
    主要功能
    - 低导通电阻(Ron)
    - 极低的输入电容(Ciss)
    - 减少开关和导通损耗
    - 超低的栅极电荷(Qg)
    应用领域
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源供应器(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯)

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数名称 | 符号 | 极限 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | 600 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 | V |
    | 连续漏电流(TJ=150°C) | ID | 26 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 16 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 980 | mJ |
    | 最大功耗 | PD | 510 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55至+150 | °C |
    | 漏源电压斜率 | dV/dt | 50 | V/ns |
    | 焊接温度峰值 | 260 | °C |
    规格参数
    | 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |

    | 静态参数 |
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 1 mA | 600 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 μA | 2.5 | - | 4.5 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 8.5 A | - | 0.115 | Ω |
    | 动态参数 |
    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz | - | 2800 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 330 | - |
    | 有效输出电容,能量相关 | Co(er) | VDS = 0 V 至 520 V, VGS = 0 V | - | 63 | - |
    | 总栅极电荷 | Qg | VGS = 10 V, ID = 20 A, VDS = 520 V | - | 30 | - |
    | 门极到源极电荷 | Qgs | - | - | 39 | nC |
    | 门极到漏极电荷 | Qgd | - | - | 47 | - |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻和超低栅极电荷:RDS(on)仅为0.115Ω,同时Qg低至30nC,使得该MOSFET能够在高效率运行的同时保持较低的能耗。
    - 低输入电容:Ciss为2800pF,减少了开关损耗。
    - 高可靠性和稳定性:绝对最大额定值确保了在极端工作条件下仍能正常运行。
    - 快速开关性能:td(on)和td(off)时间短,有助于提高系统的总体效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在服务器电源中,该MOSFET可用于降低开关损耗,提高电源转换效率。
    - 在SMPS中,该MOSFET可以显著减少导通和开关损耗,适用于高频、高效的应用。
    使用建议
    - 对于需要频繁开关的应用,建议选择适当的驱动电路以减小Qgd的影响。
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计以确保器件稳定运行。

    兼容性和支持


    - 该MOSFET采用标准TO-247封装,易于集成到现有系统中。
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持,客户可随时通过服务热线(400-655-8788)咨询技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何优化系统散热?
    - 解决方案:合理设计散热片,确保MOSFET在安全工作温度范围内运行。
    2. 问题:驱动电路设计注意事项有哪些?
    - 解决方案:选择合适的驱动电阻以降低Qgd的影响,同时保证足够的驱动能力。
    3. 问题:如何正确焊接MOSFET?
    - 解决方案:确保焊接温度不超过260°C,且焊接时间不超过10秒,以避免损坏器件。

    总结和推荐


    综合评估
    该N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET凭借其低导通电阻、超低栅极电荷和低输入电容等特点,在多种应用场合中表现出色,特别是在高效率电源转换方面有着显著的优势。其紧凑的封装和广泛的温度适应性使其成为市场上的优选产品。
    推荐使用
    基于上述特点和优势,强烈推荐在服务器电源、SMPS、PFC及照明系统等领域选用该MOSFET。该产品不仅能够提升系统的整体性能,还具备较高的可靠性和稳定性,是您项目的理想选择。

VBP16R26S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 26A
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP16R26S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP16R26S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP16R26S VBP16R26S数据手册

VBP16R26S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 14.4514
500+ ¥ 13.2953
900+ ¥ 12.7172
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