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IXTP80N10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IXTP80N10T TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP80N10T

IXTP80N10T概述

    IXTP80N10T-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IXTP80N10T-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道100V耐压(D-S)功率MOSFET。这款产品主要用于需要高可靠性和高性能的场合,例如电源管理、电机驱动和其他工业控制应用。它采用了先进的TrenchFET®技术,能够提供出色的开关性能和低导通电阻。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID | 75 | 100 | 100 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 300 A |
    | 雪崩电流 | IAS | 75 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 280 mJ |
    | 最大功耗 | PD | 250 W |
    | 热阻率(印刷电路板安装) | RthJA | 40 °C/W |
    | 热阻率(自由空气) | RthJC | 0.6 °C/W |
    | 工作结温 | TJ | -55 | 175 | 175 | °C |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:IXTP80N10T-VB能够在高达175°C的工作结温下稳定运行,这使其非常适合高温环境下的应用。
    - 低导通电阻:在栅源电压为10V时,其导通电阻为0.009Ω;在栅源电压为4.5V时,导通电阻为0.020Ω,这使得其具备出色的开关性能和较低的能量损耗。
    - 快速开关性能:如输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)和总栅极电荷(Qg)所示,该产品具有快速开关能力,有利于提高系统的整体效率。
    - 抗冲击性能强:产品设计允许一定程度的冲击电压和电流,保证了在恶劣环境下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    IXTP80N10T-VB 可广泛应用于各种电力转换和控制电路中。例如,在电机驱动器中,它可以用于驱动高功率电动机。在开关电源设计中,可以作为高效的开关元件来减少热损耗。此外,也可以在电池管理系统中作为开关元件来调节充电和放电过程。
    在实际应用中,为了充分发挥其性能,建议在系统设计时考虑以下几点:
    - 散热设计:确保良好的散热设计以防止过热。
    - 选择合适的驱动电路:考虑到该产品的快速开关性能,使用合适的驱动电路来避免不必要的损耗。
    - 电路布局优化:合理布局电源和信号线,以减少EMI干扰。

    兼容性和支持


    IXTP80N10T-VB 采用TO-220AB封装,符合RoHS指令2002/95/EC标准,具备较好的环保性能。此外,VBsemi公司为其提供了技术支持,如有需要可联系400-655-8788获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:IXTP80N10T-VB 是否支持连续高电流?
    - 答:是的,该产品可以在高达100A的连续电流下工作。但是要注意其最大功耗和热阻率,确保适当的散热措施。
    2. 问:能否长时间在175°C的高温下运行?
    - 答:可以。但需要注意的是,长时间在这种高温环境下可能会对其寿命产生影响,建议定期进行检测和维护。

    总结和推荐


    IXTP80N10T-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET。其具备出色的开关性能、低导通电阻和抗高温能力,特别适合在高功率、高温度环境中工作的应用场合。强烈推荐在需要高效、可靠的电力控制应用中使用此产品。

IXTP80N10T参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP80N10T厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP80N10T数据手册

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IXTP80N10T封装设计

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