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2N7002E-7-F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-2N7002E-7-F SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N7002E-7-F

2N7002E-7-F概述

    2N7002E-7-F-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    2N7002E-7-F-VB 是一种采用 SOT-23 封装的低电压 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要应用于逻辑电平接口、驱动器、电池供电系统及固态继电器等领域。其低阈值电压和快速开关速度使其成为高可靠性、低功耗应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 60V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 连续漏电流 \(ID\) (TJ = 150°C): 250mA
    - 脉冲漏电流 \(I{DM}\): 800mA
    - 最大功率耗散 \(PD\): 0.30W (TA = 25°C), 0.13W (TA = 100°C)
    - 热阻 \(R{thJA}\): 350°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 60V
    - 栅阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1~2.5V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): 2.8Ω (VGS = 10V, ID = 200mA)
    - 动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 25pF
    - 开关时间 \(t{d(on)}\): 20ns
    - 关断时间 \(t{d(off)}\): 30ns

    产品特点和优势


    2N7002E-7-F-VB 的主要优势在于其低输入电容、快速开关速度以及低输入输出泄漏。这些特性使得该 MOSFET 非常适合用于高速电路、电池供电系统和其他需要低误差电压的应用。具体特点如下:
    - 低输入电容: 仅 25pF,有助于减少电路的延迟。
    - 快速开关速度: 开关时间为 20ns 和 30ns,适用于高速信号传输。
    - 低输入输出泄漏: 确保信号的准确传输和稳定运行。
    - 低阈值电压: 2V(典型),简化驱动电路设计。

    应用案例和使用建议


    2N7002E-7-F-VB 可广泛应用于多种场景,如直接逻辑电平接口、驱动器、电池供电系统和固态继电器。以下是一些具体的使用场景和建议:
    - 逻辑电平接口:可以直接与 TTL/CMOS 逻辑电路连接,无需额外缓冲器。
    - 驱动器:适用于控制继电器、电磁阀、灯泡、锤子、显示屏、存储器等。
    - 电池供电系统:由于低功耗和快速响应,非常适合便携式设备。
    - 固态继电器:在高可靠性要求的应用中表现优异。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热以避免过热。
    - 设计电路时,考虑到其低输入电容特性,可以减少外部补偿电容的需求。

    兼容性和支持


    2N7002E-7-F-VB 符合 RoHS 标准,并且符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤素标准。该产品具有良好的互操作性,可与其他逻辑电路和电源管理器件无缝集成。厂商提供全面的技术支持,包括产品认证、性能验证以及售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: MOSFET 过热?
    - 解决方案: 增加散热措施,如增加散热片或优化 PCB 布局。
    - 问题 2: 开关速度慢?
    - 解决方案: 检查驱动电路设计,确保适当的门极电阻值,优化外围电路布局。
    - 问题 3: 阈值电压不稳定?
    - 解决方案: 检查电源和信号完整性,确保稳定的输入信号。

    总结和推荐


    2N7002E-7-F-VB 是一款出色的 N 沟道 MOSFET,具备低输入电容、快速开关速度、低输入输出泄漏等特点,适用于多种高可靠性应用场景。厂商提供的技术支持和售后服务也为用户提供了信心保障。总体而言,我们强烈推荐此款产品给需要高性能 MOSFET 的工程师和技术人员。
    希望这篇技术手册解析对您有所帮助,如有任何进一步的问题,请随时联系我们。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

2N7002E-7-F参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2N7002E-7-F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N7002E-7-F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N7002E-7-F 2N7002E-7-F数据手册

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