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UTT20N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-UTT20N06 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT20N06

UTT20N06概述

    UTT20N06-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    UTT20N06-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有高可靠性和出色的开关性能。它适用于各种电源管理电路、电机控制、直流转换器及逆变器等领域。这款器件采用表面贴装技术(SMT)封装,并且支持无铅焊接,符合欧盟 RoHS 指令和 IEC 61249-2-21 标准,确保环保和合规性。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS):60 V
    - 门源电压 (VGS):10 V,最大值为 ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):50 A @ 25 °C,36 A @ 100 °C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200 A
    - 最大功率耗散 (PD):150 W @ 25 °C
    - 热阻 (RthJA):62 °C/W (最大值)

    - 电气特性:
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.0 - 2.5 V
    - 门源漏电 (IGSS):± 100 nA @ ± 10 V
    - 零门电压漏电流 (IDSS):25 μA @ VDS = 60 V,VGS = 0 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.024 Ω @ VGS = 10 V,50 A
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss):190 pF
    - 输出电容 (Coss):未提供具体数值
    - 反向传输电容 (Crss):未提供具体数值
    - 门电荷 (Qg):66 nC
    - 门源电荷 (Qgs):12 nC
    - 门源电荷 (Qgd):43 nC
    - 开关时间:
    - 开启延时时间 (td(on)):17 ns
    - 上升时间 (tr):230 ns
    - 关闭延时时间 (td(off)):2 ns
    - 下降时间 (tf):110 ns
    - 反向恢复特性:
    - 转换二极管恢复时间 (trr):130 - 180 ns
    - 转换二极管恢复电荷 (Qrr):0.84 - 1.3 μC

    产品特点和优势


    - 高可靠性:符合 RoHS 指令和 IEC 61249-2-21 标准,确保产品符合环保要求。
    - 快速开关:得益于低阈值电压和快速开关特性,可实现高效能的电源管理和信号处理。
    - 高集成度:采用 TO-220AB 封装,适合广泛的应用场景。
    - 逻辑级驱动:支持低电压驱动,方便集成到现有系统中。
    - 高耐压:具备60V的高漏源电压,适用于高压应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:适用于直流转换器、逆变器、电源开关等,通过其低导通电阻和快速开关特性提高系统效率。
    - 电机控制:利用其高耐压和高开关速度,在电机控制电路中实现精确的电流控制。
    - 示例应用场景:如图 10b 和 12b 所示的开关时间和浪涌电压测试电路,验证其高速开关特性和可靠性。
    - 使用建议:考虑到散热需求,建议在设计PCB时留出足够的散热空间,并选择合适的散热片来增强散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可以方便地与其他标准表面贴装技术(SMT)元件兼容,简化系统集成过程。
    - 支持:台湾 VBsemi 电子有限公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何保证高耐压下的安全运行?
    - 解决方案:确保电路设计时的电压裕度,参考图表 8 的最大安全操作区域。

    - 问题二:如何降低漏电流?
    - 解决方案:适当增加栅极电阻以减小漏电流,确保符合系统设计要求。

    总结和推荐


    UTT20N06-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电源管理和控制系统。凭借其出色的开关特性、高耐压能力和简便的使用方法,该器件非常适合用于需要高效能、高可靠性的应用场景。因此,强烈推荐在相关应用中选用此款 MOSFET。
    此技术手册提供了详细的电气参数和应用指南,有助于工程师更好地了解和使用 UTT20N06-VB。

UTT20N06参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT20N06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT20N06数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT20N06 UTT20N06数据手册

UTT20N06封装设计

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