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IRF7493TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,14A,RDS(ON),10mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-IRF7493TRPBF SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7493TRPBF

IRF7493TRPBF概述

    IRF7493TRPBF-VB N-Channel 80V Super Trench Power MOSFET

    产品简介


    IRF7493TRPBF-VB 是一款适用于高频率开关和同步整流应用的N-Channel 80V(漏极-源极)Super Trench功率MOSFET。这种MOSFET采用了超级沟槽技术,具有超低的导通电阻Rds(on),并经过了100% Rg和UIS测试。这些特性使得该器件非常适合用于DC/DC转换器和其他电力管理应用。

    技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压VDS | VGS = 0, ID = 250 μA | 80 | - | - | V |
    | 栅极-源极阈值电压VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 μA | 1.0 | 3.5 | - | V |
    | 零栅极电压漏极电流IDSS | VGS = 0 V, VDS = 60 V | - | - | 1.0 | V |
    | 栅极-源极泄漏IGSS | VDS = 0 V, VGS = ± 20 V | - | - | ± 100 | nA |
    | 导通状态漏极电流ID(on) | VGS = 10 V, VDS ≥ 5 V | - | 30 | - | A |
    | 导通状态电阻RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 6 A | - | 0.010 | - | Ω |
    | 前向转移电导gfs | VDS = 15 V, ID = 6 A | - | 25 | - | S |

    产品特点和优势


    1. 超级沟槽技术:通过超级沟槽技术,该MOSFET实现了非常低的导通电阻Rds(on),从而提高了效率。
    2. 优秀的FOM值:具有优秀的FOM(Figure of Merit)值,结合低导通电阻和低栅极电荷,使得IRF7493TRPBF-VB在高频应用中表现优异。
    3. 高可靠性:经过100% Rg和UIS测试,确保产品的高可靠性。
    4. 广泛的应用范围:适用于DC/DC转换器和高频率开关应用,提供了高性能的电力管理解决方案。

    应用案例和使用建议


    1. DC/DC转换器:该MOSFET适合用于各种DC/DC转换器中,如电源适配器和LED驱动器,能够显著提高转换效率。
    2. 高频率开关应用:适合于电机驱动器、无线充电系统等需要高频开关的应用。
    3. 同步整流:在某些开关电源设计中,使用同步整流可以减少损耗,提高能效。
    使用建议:
    - 确保PCB设计合理,以保证良好的散热性能。
    - 考虑到最大脉冲宽度和占空比限制,选择合适的驱动电路,以防止过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用标准SO-8封装,易于与其他标准元器件配合使用。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持,包括详尽的数据手册、应用指南和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 问题:长时间运行导致器件过热。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用散热片或者优化PCB布局,以改善散热效果。
    2. 失效问题
    - 问题:长时间高负载运行可能导致失效。
    - 解决方案:定期检查和更换器件,避免长期过载运行。

    总结和推荐


    IRF7493TRPBF-VB是一款高性能、高可靠性的N-Channel 80V Super Trench功率MOSFET,特别适用于高频率开关和同步整流应用。其超低导通电阻和优秀的FOM值使其在电力管理和转换效率方面表现出色。考虑到其出色的性能和可靠性,强烈推荐在相关应用中使用该产品。
    联系我们获取更多信息:400-655-8788

IRF7493TRPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 50nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.531nF
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
最大功率耗散 6.8W
配置 -
Id-连续漏极电流 14A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRF7493TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7493TRPBF数据手册

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IRF7493TRPBF封装设计

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