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VBK264K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-0.13A,RDS(ON),4300mΩ@10V,3440mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.8Vth(V) 封装:SC70-3
供应商型号: VBK264K SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBK264K

VBK264K概述


    产品简介


    P-Channel 60V (D-S) MOSFET
    P-Channel 60V (D-S) MOSFET(以下简称“本产品”)是一种高性能的场效应晶体管,主要用于高压环境下的高边开关应用。该产品以其低导通电阻、快速开关速度和紧凑封装而著称,适用于各种电池供电系统、电源转换电路及固态继电器等领域。
    主要功能
    - 高压驱动能力:耐压高达60V。
    - 高效率:低导通电阻和低输入电容确保高效工作。
    - 快速响应:适合高速电路应用。
    - 易用性:易于驱动,无需缓冲器即可操作。
    应用领域
    - 驱动继电器、电磁铁、灯、锤子、显示屏、存储器、晶体管等。
    - 电池供电系统。
    - 电源转换电路。
    - 固态继电器。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 (VDS) | -60 -60 | V |
    | 门极-源极电压 (VGS) | ±20 ±20 | V |
    | 持续漏极电流 (ID) | -135 -135 | mA |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | -800 -800 | mA |
    | 功耗 (PD) | 350 140 | mW |
    | 最大结温 (Tj) | -55 至 150 °C |
    | 热阻 (RthJA) | 350 °C/W |

    产品特点和优势


    - 易于驱动:具有低输入电容和低导通电阻,可直接驱动各种负载,减少外部驱动电路的需求。
    - 高可靠性:具有2000V ESD保护,符合RoHS标准,环保可靠。
    - 低功耗:低导通电阻(4Ω),有效降低功耗,提高能效。
    - 高灵活性:适用于多种电路设计,广泛应用于电池供电系统和高边开关电路。
    - 适应性强:能够在广泛的温度范围内稳定工作(-55至150°C)。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电动工具:用于驱动电动工具中的电机,确保工具在高低温环境下均能正常运行。
    - 汽车电子:在汽车电子控制系统中作为高边开关,实现精准控制。
    - 工业自动化:适用于工业自动化设备中的开关控制,提高系统效率。
    使用建议
    - 温度管理:考虑到产品的工作环境温度范围较广,需要合理规划散热措施,避免长时间高负荷运行导致过热。
    - 驱动电路:在设计驱动电路时,确保门极电压不超过±20V,避免过电压损坏器件。
    - 应用场景:根据具体应用场景选择合适的封装形式,例如SOT-323或SC-70,以满足空间限制和成本要求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与市面上常见的电源转换电路和其他高压驱动设备兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和支持,客户可联系服务热线400-655-8788获取更多技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q:工作电压超过最大值会有什么后果?
    - A:工作电压超过最大值会导致器件损坏,建议严格遵守绝对最大额定值。
    2. Q:如何优化散热效果?
    - A:合理规划散热路径,使用散热片或散热器,并保证良好的空气流通。
    3. Q:门极驱动电流过大怎么办?
    - A:调整门极驱动电阻,减小门极驱动电流,避免驱动电流过大导致的功率损耗。

    总结和推荐


    综合评估
    P-Channel 60V (D-S) MOSFET 是一款专为高压环境设计的高性能MOSFET,具有低导通电阻、快速响应速度和易于驱动的特点。其广泛的应用范围和优秀的性能使其成为高边开关和电池供电系统领域的理想选择。
    推荐意见
    鉴于其卓越的性能和广泛应用,强烈推荐在电池供电系统、电源转换电路和高边开关电路中使用P-Channel 60V (D-S) MOSFET。只要注意正确安装和适当维护,该产品能够为用户提供可靠的解决方案。

VBK264K参数

参数
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4300mΩ@10V,3440mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 130mA
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBK264K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBK264K数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBK264K VBK264K数据手册

VBK264K封装设计

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