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HM7002K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-HM7002K SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM7002K

HM7002K概述

    # HM7002K-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HM7002K-VB 是一款由 VBsemi 生产的N沟道MOSFET晶体管。该产品具有多种特性,如低栅极阈值电压(典型值为2V),低输入电容(25 pF)和快速开关速度(25ns)。这些特性使得它特别适合于直接逻辑级接口(例如TTL/CMOS接口)、驱动器应用(例如继电器、电磁铁、灯泡、显示器等)以及电池供电系统。此外,这款MOSFET还广泛应用于固态继电器和存储器等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TA = 25°C): 250mA (TA = 100°C时降为150mA)
    - 脉冲漏极电流 (TA = 25°C): 800mA
    - 功率耗散 (TA = 25°C): 0.30W (TA = 100°C时降为0.13W)
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 350°C/W
    - 工作结温及储存温度范围: -55°C 至 150°C
    规格参数
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1V 至 2.5V
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±10μA
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 1μA
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)): 500mA
    - 动态特性:
    - 总栅极电荷 (Qg): 0.4nC 至 0.6nC
    - 输入电容 (Ciss): 25pF
    - 输出电容 (Coss): 5pF
    - 反向转移电容 (Crss): 2.0pF
    - 开关特性:
    - 开通时间 (td(on)): 20ns
    - 关断时间 (td(off)): 30ns

    产品特点和优势


    HM7002K-VB MOSFET 具备以下独特功能和优势:
    - 低阈值电压和低输入电容,使其易于驱动且能快速响应;
    - 高速电路适用性,能够在低电压下稳定运行;
    - 高可靠性,满足无卤素和RoHS标准要求,确保长期安全使用;
    - 易于集成到各种应用环境中,特别是在电池供电系统和固态继电器中表现优异。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 逻辑级接口:HM7002K-VB MOSFET 可用于与TTL或CMOS接口的直接连接,实现高效的数据传输。
    2. 驱动器应用:广泛应用于驱动继电器、电磁铁、灯泡、显示器和其他电子设备。
    使用建议
    - 在设计电路时,需注意工作温度范围(-55°C至150°C),以避免过热损坏。
    - 对于高速开关应用,建议适当降低功率耗散,以保持良好的热稳定性。
    - 为了延长使用寿命,可以使用散热片来帮助散热。

    兼容性和支持


    - HM7002K-VB 支持表面贴装技术(SOT-23封装),适用于常见的FR4电路板。厂商提供详细的技术支持和客户服务热线(400-655-8788)。
    - 产品符合RoHS和无卤素标准,适用于绿色电子产品生产需求。

    常见问题与解决方案


    1. 问: 在高负载情况下,HM7002K-VB的漏极电流是否稳定?
    - 答: 在VGS=10V,VDS=7.5V的情况下,HM7002K-VB的最大漏极电流可达500mA。若要保证稳定性,建议不超过最大额定值。

    2. 问: 如何改善HM7002K-VB的热管理?
    - 答: 通过添加散热片或散热器可以有效降低结点温度,从而提高工作稳定性。同时,选择合适的工作环境温度范围,避免长时间处于高温条件下运行。

    总结和推荐


    HM7002K-VB MOSFET 是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET晶体管,适合应用于各种驱动器和逻辑级接口。其独特的低阈值电压和低输入电容特性,使它在电池供电系统和固态继电器中表现出色。建议在设计电路时仔细参考技术手册中的绝对最大额定值,以确保最佳性能和长寿命。总体而言,这是一款值得推荐的产品。

HM7002K参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM7002K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM7002K数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM7002K HM7002K数据手册

HM7002K封装设计

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