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VBFB17R02S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO251
供应商型号: VBFB17R02S TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB17R02S

VBFB17R02S概述


    产品简介


    VBFB17R02S N-Channel Super Junction Power MOSFET
    VBFB17R02S 是一款高性能的N-沟道超级结功率MOSFET,适用于多种高效率的开关电源、电机驱动器和其他电力转换应用。这款MOSFET具有低栅极电荷、增强的栅极抗冲击能力和动态dV/dt稳健性,使得其在高压和高频应用中表现出色。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS): 700 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 30 V
    - 连续漏极电流 (ID): 1.6 A(TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 8.0 A
    - 重复单脉冲雪崩能量 (EAS): 165 mJ
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 2.4 Ω(VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 15 nC
    - 有效输出电容 (Cosseff.): 84 pF
    - 最大功率耗散 (PD): 60 W(TC = 25°C)

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷: 降低驱动要求,简化电路设计。
    2. 增强的栅极抗冲击能力: 在恶劣环境下也能稳定工作。
    3. 全面的电容和雪崩特性: 包括电容和雪崩电压、电流特性。
    4. 符合RoHS标准: 无铅,环保。
    5. 高可靠性: 高温下能稳定工作,适用范围广泛。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源: VBFB17R02S 的高耐压和低栅极电荷特性使其在开关电源中表现出色,可以提高电源的效率和稳定性。
    - 电机驱动器: 适合驱动高功率电机,通过其高可靠性和低损耗特性来实现高效的电机控制。
    - 其他电力转换应用: 如逆变器和电焊机等,都能从中受益。
    使用建议:
    - 散热设计: 确保良好的热管理,以避免由于过高的温度导致的器件损坏。
    - 驱动电路: 使用适当的栅极驱动电路,确保栅极电压稳定且不会产生过多噪声。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET可以与其他常见的N-沟道MOSFET和驱动电路配合使用,适用于多种不同的电源系统。
    - 支持: 厂商提供详细的规格书和技术支持,帮助用户更好地理解和应用此产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的栅极电阻?
    - 答:选择栅极电阻时,需要考虑MOSFET的栅极电荷和所需的驱动速度。通常,较大的栅极电阻会减慢驱动速度,但可以减少电磁干扰。建议参考应用的具体需求进行选择。

    2. 问:如何处理过高的漏极电流?
    - 答:当漏极电流超过额定值时,可能需要增加散热片或改进电路设计,以防止MOSFET过热。也可以通过优化负载条件来减少电流消耗。
    3. 问:如何判断MOSFET是否已经失效?
    - 答:可以通过测量其静态参数如RDS(on)和VGS(th),或通过热像仪检查温度分布来判断MOSFET的工作状态。如果发现明显偏差,建议更换MOSFET。

    总结和推荐


    VBFB17R02S N-Channel Super Junction Power MOSFET 以其出色的耐压能力、低栅极电荷和增强的栅极抗冲击能力,在高压和高频应用中表现出色。此外,其符合RoHS标准和广泛的应用兼容性使其成为许多电力转换应用的理想选择。综上所述,我们强烈推荐使用此款MOSFET,特别是对于那些需要高可靠性和高效转换的应用场景。

VBFB17R02S参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4Ω@ 10V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB17R02S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB17R02S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB17R02S VBFB17R02S数据手册

VBFB17R02S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
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