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VBL19R07S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,900V,7A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO263
供应商型号: VBL19R07S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL19R07S

VBL19R07S概述


    产品简介


    VBL19R07S 是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,适用于多种高电压和大电流的应用场景。其核心优势在于低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),能够在保证高效能的同时降低功耗。该产品主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)。此外,它在工业领域也有广泛应用。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 900 | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 2 - 4 | V |
    | 栅源漏电流(IDSS) | ≤ 1 | μA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.85 @ VGS=10V, 25°C | Ω |
    | 总栅极电荷(Qg) | 26 | nC |
    | 输入电容(Ciss) | 73 | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | - |
    | 反向转移电容(Crss) | - | - |
    | 最大单脉冲雪崩能量(EAS) | 22 | mJ |
    | 最大连续漏极电流(ID) | 5.9 @ TJ=150°C | A |
    | 极限工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 ~ +150°C | °C |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)): 在25°C时,最大导通电阻为0.85Ω,确保了高效的电流传输。
    - 低栅极电荷(Qg): 有效减少开关损耗,提高整体效率。
    - 低输入电容(Ciss): 降低了驱动电路所需的能量,减少了系统的复杂度。
    - 低雪崩能量(EAS): 提升了可靠性,能够承受瞬态高压冲击。
    - 适用广泛的应用领域: 包括服务器、电信设备、电源转换和工业控制系统,具有很高的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    VBL19R07S 的主要应用场景包括高电压电源转换器、LED驱动器和电动车辆充电站。例如,在服务器电源供应中,它的高效性和稳定性有助于延长设备的使用寿命并降低能耗。在设计中,建议考虑使用低阻抗的驱动器以降低驱动损耗,并采用适当的散热设计以避免过热。

    兼容性和支持


    该产品支持标准的焊接工艺,建议焊接峰值温度为300°C,时间为10秒。制造商提供详细的焊接指南和技术支持服务,帮助客户解决在安装过程中可能遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温工作导致性能下降 | 使用散热器增强散热效果 |
    | 开关损耗过大 | 减少工作频率或优化驱动信号以降低开关频率 |
    | 输出电容不足导致电压波动 | 增加外部电容来稳定输出电压 |
    | 栅极驱动电压不合适 | 调整栅极驱动电压至建议值 |

    总结和推荐


    综上所述,VBL19R07S 是一款性能卓越的N沟道超结功率MOSFET,特别适合高电压、大电流的应用场合。其低导通电阻、低栅极电荷以及出色的电气性能使其在市场上具备显著的竞争优势。对于需要高效能、低损耗的电源转换系统,强烈推荐使用 VBL19R07S。

VBL19R07S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL19R07S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL19R07S数据手册

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VBL19R07S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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