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NCE0224K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,25A,RDS(ON),54mΩ@10V,112mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: NCE0224K TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE0224K

NCE0224K概述

    NCE0224K-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE0224K-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 200 V(D-S)MOSFET 电子元器件。它是一款高性能的 TrenchFET® 功率 MOSFET,适用于多种应用场合。这款 MOSFET 具有高达 175°C 的结温耐受能力,适用于脉冲宽度调制(PWM)优化设计。此外,它符合 RoHS 指令 2002/95/EC,确保环保要求。

    2. 技术参数


    NCE0224K-VB 的关键技术和规格如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 击穿电压 | VDS | 200 200 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2 | 4 V |
    | 门体泄漏电流 | IGSS ±100 nA |
    | 零门电压漏电流 | IDSS 1 | 50 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.055 | 0.070 | Ω |
    | 转导电导 | gfs | 35 S |
    | 输入电容 | Ciss 1800 pF |
    | 输出电容 | Coss 180 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 80 pF |
    | 总门电荷 | Qg 34 nC |
    | 门源电荷 | Qgs 8 nC |
    | 门漏电荷 | Qgd 12 nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 2 | 15 | 50 | ns |
    | 上升时间 | tr | 50 | 75 ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | 30 | 45 ns |
    | 下降时间 | tf | 60 | 90 ns |
    其他绝对最大额定值:
    - 栅极源电压(VGS):±20 V
    - 源极电流(IS):28 A
    - 冲击波形下电流(ISM):5 A
    - 雪崩能量(EAS):18 mJ

    3. 产品特点和优势


    NCE0224K-VB 的主要特点和优势如下:
    - TrenchFET® 技术:提高导通性能和可靠性。
    - 高耐温性:可在高达 175°C 的环境下正常工作。
    - PWM 优化:适用于需要高速开关的应用。
    - 全检合格:100% RG 测试,确保产品质量。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令,适用于环保要求严格的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    NCE0224K-VB 主要应用于电源管理、开关电源、电机驱动等领域。以下是一些典型应用场景和建议:
    - 电源管理:作为主侧开关,可以有效降低系统损耗。
    - 开关电源:适用于需要高速开关的应用场景。
    - 电机驱动:提供高效的电机控制,减少能耗。
    使用建议:
    - 确保电路设计合理,避免过压和过流。
    - 在高温环境中使用时,需考虑散热措施。

    5. 兼容性和支持


    NCE0224K-VB 采用 TO-252 封装,便于安装和焊接。对于不同应用场合,VBsemi 提供了详细的文档和支持,确保用户能够顺利使用该产品。如有任何问题,可通过服务热线 400-655-8788 联系 VBsemi 获取技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:工作温度范围是什么?
    - 解答:工作温度范围为 -55°C 至 175°C。
    - 问题:如何处理过热情况?
    - 解答:确保良好的散热设计,避免长时间处于高温环境。
    - 问题:如何测试 MOSFET 的性能?
    - 解答:可使用专业的测试仪器,如万用表和示波器,测量 RDS(on)、Ciss 和其他参数。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NCE0224K-VB 是一款优秀的 N 沟道 200 V MOSFET,具有高性能、高可靠性和环保特性。特别适合用于需要高耐温性和高速开关的应用场合。强烈推荐在相关项目中使用 NCE0224K-VB。

NCE0224K参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE0224K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE0224K数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE0224K NCE0224K数据手册

NCE0224K封装设计

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