处理中...

首页  >  产品百科  >  QM2414K

QM2414K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-QM2414K SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM2414K

QM2414K概述

    N-Channel 20V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 20V (D-S) MOSFET 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有极低的导通电阻和出色的电气特性。其广泛应用于各种电路设计中,如直流-直流转换器(DC/DC Converters)和便携式设备中的负载开关(Load Switch)。本产品采用了先进的TrenchFET®技术,能够显著提高效率并降低功耗。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压(VDS):20V
    - 最大栅源电压(VGS):±12V
    - 连续漏极电流(ID):6A(TA = 25°C),5.1A(TA = 70°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):20A
    - 持续源极-漏极二极管电流(IS):1.75A(TA = 25°C)
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻(RthJ-A):100°C/W(最大值)
    - 最大结到引脚(漏极)热阻(RthJF):60°C/W
    - 其它参数
    - 导通状态下的漏极-源极电阻(RDS(on)):
    - VGS = 4.5V,ID = 5.0A 时为 0.028Ω
    - VGS = 2.5V,ID = 4.7A 时为 0.042Ω
    - VGS = 1.8V,ID = 4.3A 时为 0.050Ω
    - 阈值电压(VGS(th)):0.45~1.0V
    - 总门极电荷(Qg):8.8~14nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):0.7nC

    产品特点和优势


    - 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC和无卤素标准IEC 61249-2-21,适用于绿色制造和无害化处理。
    - 高可靠性:采用100% Rg测试,确保每颗器件均经过严格的质量检测。
    - 快速开关性能:优异的动态参数如门极电荷、输入电容等,有助于提高开关速度和减少功耗。
    - 宽温度范围:可在-55°C到150°C的极端环境下稳定运行,确保在不同环境条件下的可靠工作。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于便携式设备中的负载开关,能够在有限的空间内实现高效的电源管理。此外,在直流-直流转换器中也能提供优秀的电压转换效率。
    - 使用建议:为了最大化其性能,建议在电路设计中适当优化散热措施,避免因过热而导致的可靠性问题。对于负载开关应用,应关注在开关频率较高的情况下器件的热稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET可与市场上主流的控制器和其他元器件良好配合,适用范围广。
    - 支持:供应商提供全面的技术文档和技术支持服务,帮助客户快速解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时出现过大的漏电流。
    - 解决方案:检查外部电路是否存在短路情况,调整栅极驱动信号以优化开启性能。
    - 问题2:温度过高导致失效。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,保证良好的散热效果。

    总结和推荐


    N-Channel 20V (D-S) MOSFET凭借其卓越的性能指标和广泛的应用范围,在多个领域展示了出色的表现。对于追求高效能和高可靠性的工程师来说,这款产品无疑是一个理想的选择。因此,强烈推荐将其用于各种需要高效率和可靠性的电路设计中。

QM2414K参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM2414K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM2414K数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM2414K QM2414K数据手册

QM2414K封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.1425
库存: 3866
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 0.71
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336