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HAT1126R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5.3A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: HAT1126R SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HAT1126R

HAT1126R概述

    HAT1126R-VB 双P沟道60V MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    HAT1126R-VB 是一款双P沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。这款MOSFET采用先进的TrenchFET®工艺制造,具有出色的电气特性和可靠性,适用于各种负载开关应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | -60 -60 | V |
    | 门源电压 | ±20 V |
    | 连续漏电流(TJ=150°C) | -5.3 | -5.0 | -4.1 | A |
    | 脉冲漏电流 | -32 A |
    | 最大功率耗散(TA=25°C) | 4.0 W |
    | 最大功率耗散(TA=70°C) | 2.5 W |
    | 最大工作温度 | -55 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素设计:符合RoHS标准,对环境友好。
    - TrenchFET®技术:提高了开关速度和可靠性。
    - 100% UIS测试:确保产品在极端条件下的可靠性能。

    4. 应用案例和使用建议


    HAT1126R-VB广泛应用于负载开关领域,例如电源管理和控制电路。实际使用中,用户可以根据具体需求选择合适的门源电压和连续漏电流。在设计电路时,应考虑到散热问题以避免过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他标准SO-8封装的电子元器件兼容。厂商提供详细的使用说明和技术支持,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    1. Q:产品在高电流条件下工作时是否会发热严重?
    - A:是的,在高电流条件下使用时,必须注意散热措施,例如增加散热片或风扇来保证产品正常工作。
    2. Q:产品在极端温度环境下是否能稳定运行?
    - A:可以在-55°C至150°C的温度范围内稳定运行,但需要根据具体应用情况采取适当的保护措施。

    7. 总结和推荐


    HAT1126R-VB 是一款高性能、高可靠的双P沟道60V MOSFET,适用于多种电力转换和控制应用。它不仅具有良好的电气性能和热稳定性,而且易于集成到现有系统中。我们强烈推荐用户在设计负载开关相关应用时考虑使用此产品。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系台湾VBsemi公司的服务热线:400-655-8788。

HAT1126R参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HAT1126R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HAT1126R数据手册

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HAT1126R封装设计

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