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BSZ097N04LS G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,40A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,5.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
供应商型号: 14M-BSZ097N04LS G QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BSZ097N04LS G

BSZ097N04LS G概述

    BSZ097N04LS G-VB 技术手册概述

    产品简介


    BSZ097N04LS G-VB 是一款N沟道40V(D-S)MOSFET晶体管,属于TrenchFET®功率MOSFET系列。该产品主要适用于同步整流、同步降压转换器、ORing、负载开关及电机驱动开关等应用领域。其独特的设计使其能够在多种电子系统中提供高效的电能转换和控制。

    技术参数


    以下是BSZ097N04LS G-VB的主要技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):40V
    - 栅源电压 (VGS):± 20V
    - 连续漏电流 (ID):40A(TC = 70°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):100A(t = 100 µs)
    - 最大功耗 (PD):52W(TC = 25°C),33W(TC = 70°C)
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.1~2.2V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):± 100nA
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS):1µA(VDS = 40V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 0.0045Ω(VGS = 10V)
    - 0.0062Ω(VGS = 4.5V)
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 9.8 nC(VDS = 20V, VGS = 10V)
    - 5 nC(VDS = 20V, VGS = 4.5V)
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 到 150°C

    产品特点和优势


    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试确保产品质量。
    - 低导通电阻:在10V栅极电压下RDS(on)为0.0045Ω,在4.5V下为0.0062Ω。
    - 宽工作温度范围:适用于从-55°C到150°C的工作环境。
    - 高抗浪涌能力:最大单脉冲雪崩电流为20A,能量为20mJ。
    - 多功能应用:适用于同步整流、同步降压转换器、ORing、负载开关及电机驱动开关等多种应用。

    应用案例和使用建议


    BSZ097N04LS G-VB广泛应用于各种电源管理系统中。例如,在同步降压转换器中,它能够有效地降低输出纹波并提高效率。对于负载开关的应用,该器件能够在短时间内承受高电流而不会过热。为了实现最佳性能,建议在设计电路时充分考虑器件的热管理和散热措施,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品适用于与各种电源管理IC配套使用,并且与其他常见的电源管理系统具有良好的兼容性。厂商提供了详细的技术文档和客户支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理过高的栅极电压?
    - 解决方案:确保栅极电压不超过20V,否则可能会导致器件损坏。
    - 问题2:如何避免过高的漏电流?
    - 解决方案:确保在规定的最大连续漏电流范围内使用,超过规定值可能导致器件过热。
    - 问题3:器件在高温环境下如何保持正常工作?
    - 解决方案:选择适当的散热方式,并确保器件处于推荐的工作温度范围内。

    总结和推荐


    BSZ097N04LS G-VB是一款高性能、可靠且多功能的N沟道MOSFET。其优秀的导通特性和宽泛的工作温度范围使其成为众多电源管理和控制应用的理想选择。无论是对系统效率要求高的场合还是需要高可靠性保证的工业环境,BSZ097N04LS G-VB都能够提供卓越的性能表现。强烈推荐在相关应用中采用此款产品。

BSZ097N04LS G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

BSZ097N04LS G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BSZ097N04LS G数据手册

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