处理中...

首页  >  产品百科  >  NTB75N03-06T4G

NTB75N03-06T4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-NTB75N03-06T4G TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTB75N03-06T4G

NTB75N03-06T4G概述

    NTB75N03-06T4G-VB N-Channel MOSFET 技术手册综述

    1. 产品简介


    NTB75N03-06T4G-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchFET 技术,适用于多种应用场合,如 OR-ing、服务器及 DC/DC 转换器。该产品在高温环境下的可靠性和稳定性使其成为关键应用的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 (VDS) | 30 | V |
    | 持续漏极电流 (TJ = 175 °C) | 98 @ 25 °C | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 64.8 | V |
    | 开启状态漏极电流 (ID(on)) | 90 | A |
    | 开启状态漏源电阻 (RDS(on)) @ 10 V | 0.0024 | Ω |
    | 开启状态漏源电阻 (RDS(on)) @ 4.5 V | 0.0027 | Ω |
    | 零门电压漏极电流 (IDSS) | 1 | µA |
    | 输入电容 (Ciss) @ 15 V, 0 V | 12065 | pF |
    | 输出电容 (Coss) @ 15 V, 10 V | 1725 | pF |
    | 反向转移电容 (Crss) @ 15 V, 10 V | 970 | pF |
    | 总栅极电荷 (Qg) @ 15 V, 28.8 A | 171-257 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:提供高电流密度和低导通电阻,提高效率。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量和可靠性。
    - 符合 RoHS 指令:环保设计,适用于各种电子产品。
    - 高功率处理能力:最大功率耗散为 250 W @ 25 °C,确保在高负载下稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用:用于电源系统中实现负载切换,保证系统稳定运行。
    - 服务器应用:支持高电流需求和热管理,确保服务器长时间高效运行。
    - DC/DC 转换器:实现高效能的电压转换,减少损耗。
    - 使用建议:为了优化性能,建议使用热沉以保持较低的工作温度。确保电路布局合理,避免信号干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTB75N03-06T4G-VB 可与其他标准 D2PAK 封装的电子元器件兼容。
    - 支持:厂商提供全面的技术支持和客户服务,包括产品咨询、应用指南和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:增加散热措施,使用合适的热沉,确保良好的空气流通。
    - 问题:开启延迟时间长。
    - 解决方案:优化栅极驱动电路,减少栅极电阻,提高开关速度。

    7. 总结和推荐


    NTB75N03-06T4G-VB 在其应用领域内表现出色,具有高可靠性、低损耗和广泛的应用场景。建议在需要高性能和高可靠性的电力电子系统中使用此产品。强烈推荐给追求卓越性能的用户。

NTB75N03-06T4G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTB75N03-06T4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTB75N03-06T4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTB75N03-06T4G NTB75N03-06T4G数据手册

NTB75N03-06T4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7534
库存: 100
起订量: 5 增量: 800
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.76
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0