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QS6M3TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±20V,7 /-4.5A,RDS(ON),20 / 70mΩ@4.5V,29 / 106mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.71 / -0.81Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-QS6M3TR SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QS6M3TR

QS6M3TR概述

    QS6M3TR-VB N- and P-Channel 20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    QS6M3TR-VB 是一款高效能的N-Channel和P-Channel MOSFET器件,适用于多种电子应用。它采用了TrenchFET®技术,具有高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和高效率等特点。这款MOSFET在电源管理、开关电路和其他需要高效能转换的应用中表现出色。

    技术参数


    以下为QS6M3TR-VB的主要技术参数:
    - 电压范围: N-Channel: 20V (VDS); P-Channel: 20V (VDS)
    - 电流范围:
    - N-Channel: ID(max) = 4.0A
    - P-Channel: ID(max) = -2.3A
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - N-Channel: 0.022Ω (VGS = 10V)
    - P-Channel: 0.055Ω (VGS = -20V)
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 漏极-源极电压 (VDS): 20V
    - 最大连续漏极电流 (ID): N-Channel 4A, P-Channel -2.3A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 3.7A
    - 最大功耗 (PD): 1.15W (TA = 25°C), 0.73W (TA = 70°C)
    - 工作温度范围: -55°C 到 150°C
    - 热阻率:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 93°C/W (最大), 130°C/W (稳态)
    - 最大结到引脚热阻 (RthJL): 75°C/W (稳态)

    产品特点和优势


    1. Halogen-free: 符合IEC 61249-2-21标准,绿色环保。
    2. TrenchFET® Power MOSFET: 先进的技术,确保高可靠性和高性能。
    3. 100% Rg 测试: 确保产品质量。
    4. 符合RoHS标准: 适用于各种行业应用,特别适合环保要求高的应用。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理: 在开关电源设计中,可以显著降低功耗,提高系统效率。
    - 电机驱动: 适用于电机驱动控制,可以提供可靠的电流控制。
    - 通信设备: 在通信设备中,可以用于信号放大和电压调节。
    使用建议:
    - 在使用时注意散热设计,特别是在高电流和高频率应用中,以避免过热。
    - 考虑应用环境的温度变化,选择合适的散热措施,确保器件在安全温度范围内工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性: QS6M3TR-VB 采用标准TSOP-6封装,易于安装和焊接,兼容市面上多数PCB设计。
    - 技术支持: Taiwan VBsemi 提供全方位的技术支持,包括产品规格书、应用指南和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关速度慢
    - 解决方案: 检查栅极电阻 (Rg) 是否合适,适当减小栅极电阻,可以提高开关速度。

    2. 问题: 温度过高
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,增加散热片或者风扇以提高散热效果。
    3. 问题: 导通电阻偏大
    - 解决方案: 确保栅极电压 (VGS) 达到合适值,如VGS > 10V。

    总结和推荐


    QS6M3TR-VB 是一款集高效能和低成本于一体的N-Channel和P-Channel MOSFET器件,非常适合电源管理和电机驱动等应用。其绿色环保的特点,使得它在现代电子设计中尤为重要。推荐电子工程师和技术人员考虑将其作为设计方案的一部分,以提升整体系统的性能和可靠性。

QS6M3TR参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 5.5A
FET类型 N+P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 2
最大功率耗散 1.15W
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QS6M3TR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QS6M3TR数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QS6M3TR QS6M3TR数据手册

QS6M3TR封装设计

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