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NTGS3433T1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-NTGS3433T1G SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTGS3433T1G

NTGS3433T1G概述

    NTGS3433T1G-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTGS3433T1G-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用TrenchFET®技术,适用于负载开关应用。MOSFET是一种常用于电源管理和电机控制的关键电子元器件,因其低导通电阻和高电流处理能力而被广泛应用于各种工业和消费电子设备中。

    技术参数


    以下是NTGS3433T1G-VB的主要技术规格:
    - 电压参数
    - 最大漏源电压(VDS):30V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 最大脉冲漏电流(IDM):-20A
    - 持续源漏二极管电流(IS):-2.5A
    - 最大功率耗散(PD):3.0W (25°C), 2.0W (70°C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):-30V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):-0.5V至-2.0V
    - 开启状态漏电流(ID(on)):-20A (VDS≤-5V, VGS=-10V)
    - 导通电阻(RDS(on)):0.049Ω (VGS=-10V, ID=-4.1A), 0.054Ω (VGS=-4.5V, ID=-1.0A)
    - 输入电容(Ciss):450pF (VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容(Coss):80pF
    - 反向传输电容(Crss):63pF
    - 总栅极电荷(Qg):10-15nC (VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-4.1A)
    - 栅极电阻(Rg):7Ω (f=1MHz)
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA):55°C/W (25°C时)
    - 最大结到引脚热阻(RthJF):34°C/W
    - 其他参数
    - 温度范围:存储温度范围(Tstg):-55°C 至 150°C
    - 潮湿等级:符合IEC 61249-2-21标准的无卤素材料

    产品特点和优势


    NTGS3433T1G-VB的主要优势包括:
    - 低导通电阻:该MOSFET具有较低的导通电阻,保证在不同工作条件下的高效性能。
    - 高可靠性:通过设计优化确保可靠运行,适用于高温环境。
    - 环保材料:采用无卤素材料,符合欧盟RoHS指令,环保安全。
    - 优秀的散热性能:热阻参数良好,能有效散发热量,保持长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    NTGS3433T1G-VB适用于多种负载开关应用场景,例如电机驱动、电源转换、电池管理等领域。为了充分发挥其性能,建议在以下方面注意:
    - 电路布局:确保良好的散热设计,采用适当的PCB布局以避免热聚集。
    - 电路保护:使用外部保护电路,如TVS二极管,防止瞬态电压损坏MOSFET。
    - 匹配负载:根据具体应用选择合适的驱动电压和电流,确保MOSFET处于最佳工作状态。

    兼容性和支持


    NTGS3433T1G-VB具有良好的兼容性,可以与其他常见的电子元器件配合使用。制造商提供了一系列技术支持和服务,包括在线资料、样品请求和技术咨询,确保客户能够顺利集成该MOSFET。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方法:
    - 问题:MOSFET过热
    - 解决方法:检查电路设计和散热措施,增加散热片或改善气流。
    - 问题:无法正常开启
    - 解决方法:确认驱动电压是否足够,检查栅极电阻是否合适。
    - 问题:漏电流过大
    - 解决方法:检查电路板焊接是否良好,确保所有连接正确无误。

    总结和推荐


    综上所述,NTGS3433T1G-VB是一款高性能的P沟道30V MOSFET,具备出色的电气特性和可靠性。适合用于多种负载开关应用场景。对于需要高效、稳定且环保的电源管理方案的工程师来说,这款MOSFET是一个理想的选择。
    强烈推荐给寻求高质量MOSFET的电子工程师和系统设计师。

NTGS3433T1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTGS3433T1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTGS3433T1G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTGS3433T1G NTGS3433T1G数据手册

NTGS3433T1G封装设计

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