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IRFS4710TRRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-IRFS4710TRRPBF TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS4710TRRPBF

IRFS4710TRRPBF概述

    IRFS4710TRRPBF-VB 技术手册

    1. 产品简介


    IRFS4710TRRPBF-VB 是一款N沟道100V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于TrenchFET®系列。该产品广泛应用于各种电源转换和驱动电路中,适用于需要高效能、低损耗的应用场合。

    2. 技术参数


    以下是该产品的技术规格及性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C): 100 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 280 mJ
    - 最大耗散功率 (25°C, TO-220AB 和 TO-263): 250 W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 175°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2 V - 4 V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 µA (VDS = 100 V, VGS = 0 V)
    - 导通漏极电流 \( I{D(on)} \): 120 A (VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V)
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - VGS = 10 V, ID = 30 A: 0.010 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 20 A: 0.023 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 6550 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 665 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 265 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 105 nC - 160 nC
    - 开启延迟时间 \( td(on) \): 12 ns - 25 ns
    - 上升时间 \( tr \): 90 ns - 135 ns
    - 关闭延迟时间 \( td(off) \): 55 ns - 85 ns
    - 下降时间 \( tf \): 130 ns - 195 ns

    3. 产品特点和优势


    IRFS4710TRRPBF-VB 的主要特点是:
    - 高可靠性: 最大结温达到175°C,符合RoHS指令2002/95/EC。
    - 高耐压: 漏源电压为100V,适用于多种高压应用。
    - 低导通电阻: 在高栅极电压下,\( R{DS(on)} \)可低至0.010 Ω,适用于需要低损耗的应用场合。
    - 快速开关特性: 具有优秀的动态特性,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFS4710TRRPBF-VB 广泛应用于各种电源管理和驱动电路中。例如,在直流电机驱动、电池充电器和开关电源中表现出色。以下是一些使用建议:
    - 高频率应用: 由于其优秀的开关特性,特别适合用于高频PWM控制的电路中。
    - 散热设计: 虽然该器件的最大结温较高,但在实际应用中仍需考虑良好的散热设计,以确保长期稳定运行。
    - 保护措施: 使用外部栅极电阻,以防止瞬态过电压对栅极造成损坏。

    5. 兼容性和支持


    该产品为TO-263封装,与大多数标准焊接工艺兼容。厂商提供详细的技术支持,包括安装指导、应用电路参考设计等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现明显的噪声。
    - 解决办法: 确保外部栅极电阻正确选择,以减小栅极噪声。

    - 问题2: 电路在高温环境下性能下降。
    - 解决办法: 采用更好的散热措施,如增加散热片或风扇。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRFS4710TRRPBF-VB 在可靠性、耐压能力和导通电阻方面表现优秀,尤其适用于需要高性能和低损耗的高频应用。结合其良好的技术支持和兼容性,该产品是市场上具有很强竞争力的选择。因此,强烈推荐在合适的应用场景中使用该产品。

IRFS4710TRRPBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFS4710TRRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS4710TRRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS4710TRRPBF IRFS4710TRRPBF数据手册

IRFS4710TRRPBF封装设计

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