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FDD8445

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-FDD8445 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD8445

FDD8445概述

    FDD8445-VB N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

    1. 产品简介


    FDD8445-VB 是一款高性能的N沟道40伏特功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品主要用于同步整流和电源供应系统,因其卓越的开关特性和低导通电阻,适用于各种高效率的应用场景。

    2. 技术参数


    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 40V @ \( ID = 250\mu A \)
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.2V 至 2.5V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.0050Ω @ \( V{GS} = 10V, ID = 30A \), 0.0065Ω @ \( V{GS} = 4.5V, ID = 20A \)
    - 零栅电压漏电流 \( I{DSS} \): 1μA @ \( V{DS} = 40V, V{GS} = 0V \)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2380pF @ \( V{DS} = 20V, V{GS} = 0V, f = 1MHz \)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 550pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 250pF
    - 门极电荷 \( Qg \): 80nC @ \( V{DS} = 20V, V{GS} = 10V, ID = 20A \)
    - 动态参数
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 102ns @ \( V{DD} = 20V, IL = 1.0\Omega, ID \approx 20A, V{GEN} = 4.5V, Rg = 1\Omega \)
    - 上升时间 \( tr \): 62ns @ \( V{DD} = 20V, IL = 1.0\Omega, ID \approx 20A, V{GEN} = 4.5V, Rg = 1\Omega \)
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 180ns @ \( V{DD} = 20V, IL = 1.0\Omega, ID \approx 20A, V{GEN} = 4.5V, Rg = 1\Omega \)
    - 下降时间 \( tf \): 60ns @ \( V{DD} = 20V, IL = 1.0\Omega, ID \approx 20A, V{GEN} = 4.5V, Rg = 1\Omega \)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: FDD8445-VB 具有非常低的导通电阻,即使在大电流条件下也能保持低功耗。
    - 高可靠性: 100% 的 \( Rg \) 和 UIS 测试确保了产品的高可靠性和稳定性。
    - 快速开关: 该 MOSFET 以其出色的开关速度著称,能够满足高频电路的需求。
    - 温度范围广: 能够在广泛的温度范围内正常工作,适应各种环境条件。

    4. 应用案例和使用建议


    FDD8445-VB 主要应用于高效率的电源转换系统和同步整流电路。以下是一些具体的应用案例:
    - 电源转换器: 在DC-DC转换器中,FDD8445-VB 可以显著提高转换效率并减少发热。
    - 逆变器: 在光伏逆变器中,FDD8445-VB 的低导通电阻可以有效降低能耗。
    使用建议:
    - 确保电路设计中充分考虑热管理,特别是在高电流环境下使用时。
    - 尽量选择适合的应用电路板布局,以避免寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    FDD8445-VB 具有良好的兼容性,能够与多种电子设备和电路板配合使用。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档、应用指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高电流条件下,器件发热严重。
    - 解决方案: 使用更大的散热片或加装风扇,增强散热效果。
    - 问题: 电路中出现异常波动。
    - 解决方案: 检查门极驱动信号的完整性,确保驱动信号稳定且无噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDD8445-VB 是一款集高性能和高可靠性的 MOSFET。其低导通电阻、快速开关特性和宽温度范围使其成为电源转换和同步整流应用的理想选择。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的场合使用 FDD8445-VB。
    联系方式:
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

FDD8445参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.38nF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 25V
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDD8445厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD8445数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDD8445 FDD8445数据手册

FDD8445封装设计

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