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FDG6335N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,2A,RDS(ON),150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.8Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: 14M-FDG6335N SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDG6335N

FDG6335N概述

    FDG6335N-VB 双N通道20V MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    FDG6335N-VB 是一款由VBsemi公司生产的双N通道20V MOSFET。它适用于便携式应用中的负载开关,如智能手机、平板电脑和其他便携设备。此款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,保证了高效、低损耗的开关性能。

    2. 技术参数


    - 额定电压(Drain-Source Voltage):20V
    - 最大连续漏极电流(Continuous Drain Current):2.6A(在25°C时),降为1.8A(在70°C时)
    - 脉冲漏极电流(Pulsed Drain Current):8A
    - 最大耗散功率(Maximum Power Dissipation):2.70W(在25°C时),降为1.70W(在70°C时)
    - 热阻抗(Thermal Resistance):RthJA ≤ 170°C/W(脉冲测试),RthJF ≤ 100°C/W(稳态测试)
    详细电气参数如下:
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):20V
    - 阈值电压温度系数(ΔVGS(th)/TJ):-2.3 mV/°C
    - 阈值电压(VGS(th)):0.5V ~ 2.0V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 4.5V时:0.086Ω
    - VGS = 2.5V时:0.110Ω
    - VGS = 1.8V时:0.180Ω
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷(Qg):5.0 nC(在10V,4.5V,1.5A条件下)
    - 栅极电荷(Qgs):1.0 nC
    - 开启延时时间(td(on)):43 ~ 65 ns
    - 关闭延时时间(td(off)):480 ~ 720 ns

    3. 产品特点和优势


    FDG6335N-VB 采用TrenchFET®技术,具备低导通电阻和高阈值电压稳定性。其卤素无铅的设计符合IEC 61249-2-21标准,且完全符合RoHS指令。此外,该器件经过100%栅极电阻测试,确保产品的质量和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:FDG6335N-VB适用于便携设备中的负载开关,如智能手机和平板电脑。它可以有效地控制电源供应,减少功耗并提高系统效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保电源电压不超过20V,以避免器件损坏。
    - 为了保证可靠运行,在高温环境下工作时,应注意降低电流负载以防止过热。
    - 建议在实际使用过程中对负载电流进行适当监测,以防止超过器件的最大电流限制。

    5. 兼容性和支持


    FDG6335N-VB 的封装类型包括SOT-363和SC-70,便于表面贴装安装。VBsemi公司提供详细的文档和技术支持,包括应用指南和故障排查手册。用户可以通过其官方服务热线400-655-8788获取更多帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:产品出现过热现象
    - 解决方案:检查电路设计,确保散热良好。如果需要,可以增加外部散热装置。
    - 问题:产品失效
    - 解决方案:确认产品是否在规定的电压和电流范围内工作。检查是否有外部因素(如静电放电)导致损坏。

    7. 总结和推荐


    FDG6335N-VB 是一款高性能、低成本的MOSFET,特别适合于便携式电子设备中的负载开关应用。它具有良好的热性能、低导通电阻以及出色的可靠性。总体而言,这款器件是便携式设备电源管理的理想选择,我们强烈推荐使用。

FDG6335N参数

参数
Id-连续漏极电流 700mA
配置 -
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 2.7W
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 2nC@ 4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDG6335N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDG6335N数据手册

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FDG6335N封装设计

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