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UTT80N08

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-UTT80N08 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT80N08

UTT80N08概述

    # UTT80N08-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    UTT80N08-VB 是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和驱动电路的应用。其最大栅源电压(VGS)为±20V,且具有高效率和低导通电阻的特点。这种晶体管特别适用于开关电源、同步整流、直流到交流逆变器和LED背光系统。
    应用领域
    - 开关电源:主要侧开关
    - 同步整流:提高效率
    - 直流到交流逆变器
    - LED背光

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压(VDS):80V
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):28.6A
    - 脉冲漏极电流(t = 100 μs):350A
    - 最大功率耗散(TC = 70°C):180W
    规格参数
    - 静态参数
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):80V
    - 阈值电压温度系数(ΔVGS(th)/TJ):-6.1mV/°C
    - 阈值电压(VGS(th)):2.0-3.5V
    - 导通漏极电流(ID(on)):85A
    - 导通状态漏极-源极电阻(RDS(on)):VGS = 10V时为7mΩ
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):3855pF
    - 输出电容(Coss):1120pF
    - 反向传输电容(Crss):376pF
    - 总栅极电荷(Qg):VDS = 40V时为35.5nC

    产品特点和优势


    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试通过。
    - 低导通电阻:RDS(on)在不同电压条件下均表现出较低的值。
    - 高脉冲电流能力:最大脉冲漏极电流可达350A。
    - 出色的热性能:稳态热阻抗RthJA在15-18°C/W范围内,可有效散热。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    UTT80N08-VB 在DC/AC逆变器和LED背光系统中表现优异,尤其适合需要高效率和低损耗的应用场合。在实际应用中,这种MOSFET在高频开关电源设计中可以显著提高系统效率和降低发热。
    使用建议
    - 散热管理:确保使用合适的散热措施以避免过热。
    - 驱动电路设计:选用合适的栅极电阻和驱动信号以保证可靠的开关性能。
    - 环境温度考虑:注意不同环境温度下的工作条件,特别是高温环境下需特别关注热管理。

    兼容性和支持


    UTT80N08-VB采用TO-220AB封装,适用于大多数常见的焊接工艺。厂家提供技术支持,包括热管理和驱动电路的设计指导。

    常见问题与解决方案


    - 问题:温度过高导致损坏
    - 解决方案:使用适当的散热片和冷却风扇来帮助散热。
    - 问题:栅极-源极电压过高
    - 解决方案:检查驱动电路以确保栅极电压不会超过额定值。
    - 问题:输出电流不稳定
    - 解决方案:检查电路设计,确认所有连接正确无误。

    总结和推荐


    产品

    总结


    UTT80N08-VB是一款高效能、低成本的N沟道MOSFET,适用于各种电力转换和驱动电路。其高可靠性、低导通电阻和出色的热性能使其在高频开关电源设计中具有很强的竞争力。
    推荐使用
    强烈推荐在高效率要求的应用中使用UTT80N08-VB。它的可靠性和性能使其成为众多工程师的选择。但需要注意的是,在使用过程中需仔细遵循散热和驱动电路的设计规范以确保最佳性能。

UTT80N08参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT80N08厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT80N08数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT80N08 UTT80N08数据手册

UTT80N08封装设计

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