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IRFS4410TRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-IRFS4410TRLPBF TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS4410TRLPBF

IRFS4410TRLPBF概述

    IRFS4410TRLPBF-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFS4410TRLPBF-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其最大漏源电压为100V,具有出色的热稳定性和可靠性。这款MOSFET 主要应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域,特别适用于高功率密度和高效率的应用需求。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源电压 (VDS): 100V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID): 100A (TJ = 25°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 300A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 280mJ
    - 最大功耗 (PD): 250W (TO-220AB 和 TO-263),3.75W (TO-263)

    - 工作环境:
    - 最高结温 (TJ): 175°C
    - 储存温度范围 (Tstg): -55°C 至 175°C
    - 热阻率 (RthJA): 40°C/W (PCB 安装),62.5°C/W (自由空气)
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100V
    - 门阈值电压 (VGS(th)): 2V 至 4V
    - 门体泄漏 (IGSS): ±100nA
    - 零门电压漏电流 (IDSS): 1µA
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 6550pF
    - 输出电容 (Coss): 665pF
    - 反向传输电容 (Crss): 265pF
    - 总门电荷 (Qg): 105nC 至 160nC
    - 门源电荷 (Qgs): 17nC
    - 门漏电荷 (Qgd): 23nC

    产品特点和优势


    - 卓越的热稳定性: 具有175°C的最大结温,能够在高温环境下可靠工作。
    - 低导通电阻: 在不同电压和温度下的导通电阻仅为0.010Ω至0.030Ω,保证了高效率的运行。
    - 高性能特性: 门电荷、输出电容等参数优异,适合高频应用。
    - 符合RoHS标准: 符合欧盟RoHS指令要求,确保环保和安全。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理: 由于其高功率密度和高效能特性,非常适合用于开关电源的降压转换器、整流器等场合。
    - 电机驱动: 适用于各种电机驱动电路,提供稳定的电流控制。
    - 工业控制: 在工业自动化设备中广泛应用,例如PLC控制器中的功率驱动模块。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,应确保散热良好,避免过热导致器件损坏。
    - 使用时应考虑电源纹波对MOSFET的影响,合理设计滤波电路。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准TO-263封装兼容,易于集成到现有的电路板设计中。
    - 支持和服务: 厂商提供全面的技术支持,包括详尽的技术文档和在线咨询服务,确保客户能够快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过度发热现象。
    - 解决方案: 检查散热系统是否正常工作,确保MOSFET的热阻较低。
    - 问题2: 启动过程中出现不稳定现象。
    - 解决方案: 确认门极驱动信号的质量和门极电阻的选择,避免过高的上升时间。
    - 问题3: 功耗过高导致器件过早失效。
    - 解决方案: 重新评估电路设计,减少不必要的损耗,确保MOSFET在额定范围内工作。

    总结和推荐


    IRFS4410TRLPBF-VB MOSFET 是一款性能卓越的产品,具有优秀的电气特性和热稳定性,适用于多种工业和消费电子应用。通过提供良好的技术支持和详细的使用说明,制造商确保了客户能够轻松地将该器件集成到其设计中。因此,强烈推荐在需要高效率和可靠性的应用中采用这款产品。

IRFS4410TRLPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFS4410TRLPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS4410TRLPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF数据手册

IRFS4410TRLPBF封装设计

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