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NTD23N03RT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-NTD23N03RT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD23N03RT4G

NTD23N03RT4G概述

    NTD23N03RT4G-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD23N03RT4G-VB 是一款采用沟槽式技术(TrenchFET®)制造的 N 沟道功率 MOSFET。它主要用于 OR-ing 应用、服务器以及直流到直流转换(DC/DC)。该 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压以及优秀的开关性能,适用于各种高性能应用场合。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 175°C): 90A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8mJ
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V 时: 0.007Ω
    - VGS = 4.5V 时: 0.009Ω
    - 输入电容 (Ciss): 2201pF (VDS = 15V, VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss): 525pF
    - 反向转移电容 (Crss): 370pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 25~45nC (VDS = 15V, VGS = 4.5V)
    - 热阻:
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 32°C/W
    - 最大结至外壳热阻 (RthJC): 0.5°C/W
    - 工作温度范围:
    - 操作结温 (TJ): -55°C 至 175°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:通过先进的沟槽式结构设计,降低了导通电阻,提高了电流密度和散热能力。
    2. 全面测试:所有产品都进行了 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保产品质量可靠。
    3. 符合 RoHS 规范:完全符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU,确保环保合规。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用:在冗余电源系统中使用,确保电源切换时无瞬时断电。
    - 服务器应用:提供稳定的电力供应,保证服务器的高效运行。
    - DC/DC 转换:适用于各种高效率的电源转换应用。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,需要注意散热问题,可以采用合适的散热片或风扇。
    - 在快速开关操作时,考虑栅极驱动电阻的选取以优化开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTD23N03RT4G-VB 采用 TO-252 封装,易于安装和替换,适用于多种应用。
    - 支持:制造商提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    1. 导通电阻高:
    - 解决方案:检查工作电压 (VGS) 是否满足要求,必要时增加栅极驱动电压。
    2. 发热严重:
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或强制风冷。
    3. 开关速度慢:
    - 解决方案:优化栅极电阻 (Rg),减小栅极电荷 (Qg)。

    总结和推荐


    NTD23N03RT4G-VB N-Channel MOSFET 具有出色的性能和可靠性,非常适合用于服务器、OR-ing 以及 DC/DC 转换等高要求的应用场景。建议在设计和选型时充分考虑其特性,特别是散热和栅极驱动方面的需求。总体而言,这是一款值得推荐的产品。

NTD23N03RT4G参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD23N03RT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD23N03RT4G数据手册

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