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VBL165R20S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-VBL165R20S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL165R20S

VBL165R20S概述


    产品简介


    VBL165R20S 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-Channel Super Junction功率MOSFET。该产品主要功能是通过优化的开关和导通损耗来提高电源转换效率。它适用于多种应用场景,包括服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及高亮度放电(HID)和荧光灯照明。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS):650V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (ID):20A (在TJ = 25°C下)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):12A
    - 最大雪崩能量 (EAS):900mJ
    - 最大功耗 (PD):180W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 体二极管的恢复时间 (trr):475ns (在TJ = 25°C下)

    产品特点和优势


    VBL165R20S 的主要特点和优势包括:
    - 低栅源阈值电压 (VGS(th)):3V 至 5V
    - 低输入电容 (Ciss):典型值为 2600pF
    - 低输出电容 (Coss):最大值为 80pF
    - 超低门极电荷 (Qg):典型值为 46nC
    - 雪崩能量等级 (UIS):900mJ
    - 有效输出电容 (Co(er)):典型值为 63pF
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为 70nC
    这些特点使得 VBL165R20S 在提升系统效率、减少热损失和提高可靠性方面表现出色。在实际应用中,这使得该器件特别适合于要求高效能、高可靠性的电力转换系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应系统:确保电源转换效率高,且能够承受大电流冲击。
    - 开关模式电源供应(SMPS):通过减少开关损耗来提高整体效率。
    - 高亮度放电(HID)和荧光灯照明:在需要高电流驱动的应用中表现出色。
    使用建议
    - 确保散热设计良好,以避免过热问题。
    - 在电路设计中采用低寄生电感布局,以提高稳定性。
    - 使用与测试设备同类型的驱动器,以保证一致性和可靠性。

    兼容性和支持


    VBL165R20S 与许多标准接口兼容,并支持通过官方技术支持解决客户遇到的问题。此外,厂商还提供了详细的技术文档和参考设计,帮助用户快速上手并充分发挥产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何处理过温问题?
    - A: 确保良好的散热设计,如使用散热片或增加空气流通,以维持工作温度在安全范围内。
    2. Q:如何优化电路设计以提高效率?
    - A: 在电路设计中采用低寄生电感布局,使用低漏电电感的地平面,并确保电路接地良好。
    3. Q:产品是否适用于某些特殊应用?
    - A: 用户需自行验证产品特性和性能是否符合特定应用需求。

    总结和推荐


    VBL165R20S N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 是一款专为高效率、高性能设计的产品。其独特的设计使其在各种电力转换应用中表现出色。该器件在开关损耗、导通损耗以及抗雪崩能力方面都有优异的表现,因此非常适合用于服务器、电信电源、开关模式电源及照明等领域。我们强烈推荐该产品给那些对高效率、高可靠性有需求的工程师和设计师。

VBL165R20S参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 20A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL165R20S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL165R20S数据手册

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