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FDN5630-NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);SOT23
供应商型号: 14M-FDN5630-NL SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDN5630-NL

FDN5630-NL概述

    # FDN5630-NL-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDN5630-NL-VB 是一款由VBsemi制造的N沟道60伏特耐压的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种MOSFET采用了TrenchFET®技术,具有低导通电阻(RDS(on))的特点,适用于电池开关和DC/DC转换器等多种应用场合。它特别适合用于需要高效能量转换的应用,比如电池供电的设备和汽车电子系统。

    技术参数


    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | VDS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | —— | —— | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | VDS = VGS, ID = 250 μA | 1 | 3 | —— | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | VGS = 10 V, ID = 1.9 A | —— | 0.075 | —— | Ω |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | VGS = 4.5 V, ID = 1.7 A | —— | 0.086 | —— | Ω |
    | 总栅电荷(Qg) | VDS = 30 V, VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A | —— | 3.2 | 6.1 | nC |
    | 开启延迟时间(td(on)) | VDD = 30 V, RL = 20 Ω, ID ≅ 1.5 A, VGEN = 10 V, RG = 1 Ω | 4 | 6 | ns |
    | 关闭延迟时间(td(off)) | VDD = 30 V, RL = 20 Ω, ID = 1.5 A, VGEN = 10 V, RG = 1 Ω | 10 | 15 | ns |

    产品特点和优势


    FDN5630-NL-VB 的主要特点包括:
    - 低导通电阻(RDS(on)):在10 V栅源电压下为0.075 Ω,在4.5 V栅源电压下为0.086 Ω,保证了较低的功率损耗和较高的效率。
    - 高可靠性:采用100% Rg和UIS测试,确保了器件的可靠性和稳定性。
    - 环保材料:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素材料。
    - 高温度范围:-55°C到150°C的工作温度范围,适合各种严苛环境下的应用。
    这些特点使其在电池开关和DC/DC转换器等应用中表现出色,具有较强的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    FDN5630-NL-VB 可以应用于电池开关和DC/DC转换器等场合,例如:
    - 便携式设备:如智能手机和平板电脑中的电源管理单元。
    - 汽车电子系统:如汽车逆变器和电源管理系统。
    - 工业自动化:如电机驱动和传感器接口。
    使用建议:
    - 环境适应性:考虑到其宽泛的工作温度范围,可以在多种复杂环境中稳定运行。
    - 功耗控制:由于其低导通电阻,可以在高电流条件下保持较低的功耗,提高系统的能效。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此器件符合JEDEC和IEC标准,具有良好的兼容性,可以与其他标准MOSFET轻松集成。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持和客户服务,客户可以通过服务热线400-655-8788或访问官网www.VBsemi.com获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:长时间工作在高温环境下,MOSFET的性能是否会受到影响?
    答:不会。这款MOSFET经过严格测试,能够在-55°C至150°C的工作温度范围内稳定工作。
    2. 问:是否支持脉冲电流操作?
    答:支持。最大脉冲漏极电流为12 A,但需注意不要超过稳态最大电流限制。

    总结和推荐


    综上所述,FDN5630-NL-VB 在电池开关和DC/DC转换器等应用中表现优异,具有低导通电阻、高可靠性和广泛的工作温度范围等显著优势。它非常适合于需要高效率和稳定性的应用场合。因此,我们强烈推荐这款MOSFET给需要高性能电源管理解决方案的工程师和制造商。

FDN5630-NL参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDN5630-NL厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDN5630-NL数据手册

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FDN5630-NL封装设计

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