处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN6A07F

ZXMN6A07F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 60V 4A 85mΩ@10V SOT-23-3
供应商型号: 14M-ZXMN6A07F SOT-23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN6A07F

ZXMN6A07F概述

    ZXMN6A07F-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZXMN6A07F-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 60 伏特(漏源电压)MOSFET。它采用 TrenchFET® 技术,具备出色的电气性能和可靠性。这款 MOSFET 主要应用于电池开关和直流/直流转换器等领域,广泛用于电源管理和控制系统中。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流(ID):3.1 A(TC = 25 °C),1.06 A(TC = 70 °C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):12 A
    - 最大连续功率耗散(PD):1.66 W(TC = 25 °C),1.06 W(TC = 70 °C)
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 150°C
    - 结至环境热阻(RthJA):≤ 90 °C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):60 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.075 Ω(VGS = 10 V),0.086 Ω(VGS = 4.5 V)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1 V 至 3 V
    - 零栅压漏电流(IDSS):1 µA
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):18 pF
    - 输出电容(Coss):2 pF
    - 反向传输电容(Crss):13 pF
    - 总栅电荷(Qg):2.1 nC
    - 栅源电荷(Qgs):0.7 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):1 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):4 ns 至 6 ns(VDD = 30 V,RL = 20 Ω)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 在 VGS = 10 V 和 4.5 V 下分别为 0.075 Ω 和 0.086 Ω,保证了出色的能效比。
    - 高可靠性:所有产品均通过 Rg 测试和 UIS 测试,确保长期稳定运行。
    - 环保材料:符合 IEC 61249-2-21 标准,无卤素。
    - 高温度适应性:能在极端环境下工作,适用于广泛的工业应用。

    应用案例和使用建议


    - 电池开关:由于其低导通电阻和高可靠性的特点,非常适合用于电池管理系统的开关电路。
    - 直流/直流转换器:能够在高频条件下高效工作,适合用于各类电源转换场合。

    使用建议:
    - 确保在高温环境下进行充分散热,以避免因过热导致的性能下降。
    - 在设计 PCB 布局时,确保适当的布线和散热路径,以提高整体系统性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的 PCB 布局和大多数电源管理系统兼容。
    - 支持服务:提供详细的文档和技术支持,如需进一步帮助可联系 400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:开机时器件发热严重
    - 解决方案:检查散热措施是否足够,必要时增加散热片或外部风扇。
    - 问题2:输出电流不稳定
    - 解决方案:检查输入电压是否在规定的范围内,确保负载稳定。
    - 问题3:过温保护误动作
    - 解决方案:重新配置过温保护参数或调整散热系统。

    总结和推荐


    ZXMN6A07F-VB MOSFET 是一款高性能、高可靠性的产品,尤其适用于电池管理和电源转换应用。其低导通电阻和环保材料使得它在现代电子产品设计中成为优选。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师们。

ZXMN6A07F参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 10V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN6A07F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN6A07F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMN6A07F ZXMN6A07F数据手册

ZXMN6A07F封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4774
库存: 447
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.38
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336