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IRF7410TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-12V,-13A,RDS(ON),7mΩ@4.5V,8.4mΩ@2.5V,8Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-IRF7410TR SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7410TR

IRF7410TR概述

    IRF7410TR-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF7410TR-VB 是一款P沟道MOSFET,适用于负载开关和电池开关应用。其主要特点包括:
    - 高性能的TrenchFET®功率MOSFET
    - 符合RoHS标准
    - 绿色环保,无卤素

    技术参数


    IRF7410TR-VB 的关键技术规格如下:
    - 漏源电压 (VDS): -12V
    - 栅源电压 (VGS): ±8V
    - 连续漏极电流 (ID): 在TA = 25°C时为-16A,在TA = 70°C时为-11.5A
    - 脉冲漏极电流 (IMD): 最大值为-50A
    - 最大功耗 (PD): 在TA = 25°C时为3.0W,在TA = 70°C时为1.5W
    - 绝对最大结温 (Tstg): -55°C 至 +150°C
    以下是其他技术参数:
    - 门限电压 (VGS(th)): 最小值-0.5V,典型值-1.0V
    - 门体泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 零门电压下的漏极电流 (IDSS): 最大值-1μA
    - 导通状态下的漏极电流 (ID(on)): 在VDS = -5V, VGS = -4.5V时为-30A
    - 导通状态下漏源电阻 (RDS(on)): 在VGS = -4.5V时为0.0050Ω,VGS = -2.5V时为0.0065Ω,VGS = -1.8V时为0.0100Ω

    产品特点和优势


    IRF7410TR-VB 的主要特点和优势包括:
    - 采用TrenchFET®技术,提供低导通电阻(RDS(on))
    - 符合RoHS标准,环保可靠
    - 宽广的工作温度范围,适合各种严苛环境
    - 优异的动态性能,包括快速开关时间和低反向恢复时间
    这些特性使其成为负载开关和电池开关的理想选择,广泛应用于电源管理和其他电力转换应用中。

    应用案例和使用建议


    IRF7410TR-VB 可以用于多种场合,如电源管理系统中的负载开关和电池保护电路。例如,在一个电池管理系统中,可以使用IRF7410TR-VB来控制电池的充放电过程,确保电池安全稳定运行。
    使用建议:
    - 确保所有外部连接符合产品规格要求
    - 设计时考虑散热问题,特别是在高电流应用中
    - 使用热敏电阻监测结温,避免过热

    兼容性和支持


    IRF7410TR-VB 与大多数标准的电路板设计兼容。制造商提供详尽的技术文档和支持,包括用户手册、设计指南和在线技术支持。此外,用户还可以通过拨打服务热线400-655-8788获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方案:
    1. 问题: 漏极电流过大导致发热严重。
    - 解决方案: 增加散热片,优化电路布局,减小工作电流。
    2. 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 减小栅极电阻 (Rg),增加栅极驱动能力。
    3. 问题: 开关过程中出现震荡。
    - 解决方案: 添加RC缓冲网络,抑制震荡。

    总结和推荐


    IRF7410TR-VB 是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于多种应用场合。其卓越的性能、可靠的电气特性和宽广的工作温度范围,使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐使用此产品,特别是在需要高性能开关控制的应用中。

IRF7410TR参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 16A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 12V
配置 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7410TR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7410TR数据手册

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