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VBZP50N50S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=500V;ID =40A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.8V;
供应商型号: VBZP50N50S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZP50N50S

VBZP50N50S概述

    N-Channel 500V (D-S) Super Junction Power MOSFET VBZP50N50S

    1. 产品简介


    VBZP50N50S 是一款高性能的 N-Channel 超级结功率 MOSFET,专为各种电力转换应用设计。它具备低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),确保了简单而高效的驱动需求。该产品适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关及硬开关和高频电路等多种应用场景。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS = 500V
    - 最大连续漏极电流:ID = 40A(TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 180A
    - 总门极电荷:Qg(max) = 350nC
    - 输入电容:Ciss = 8310pF
    - 输出电容:Coss = 960pF
    - 反向转移电容:Crss = 120pF
    - 静态导通电阻:RDS(on) = 0.080Ω(VGS = 10V, ID = 28A)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗:RthJA = 40°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:降低驱动电路复杂度和功耗。
    - 高可靠性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐压性,提高了器件的整体可靠性。
    - 全面特性描述:包含完全表征的电容和雪崩电压及电流特性。
    - 低导通电阻:RDS(on) 非常低,进一步减少损耗。
    - 符合 RoHS 标准:无铅制造,环保友好。

    4. 应用案例和使用建议


    VBZP50N50S MOSFET 广泛应用于开关电源、不间断电源和高频率电路。例如,在一个开关电源的设计中,这款 MOSFET 可以用来实现高效的能量转换。建议在实际应用中注意散热设计,确保器件能够在高工作频率下稳定运行。另外,考虑到栅极电荷的影响,选择合适的驱动电路和电阻值(Rg)对于实现最佳性能至关重要。

    5. 兼容性和支持


    VBZP50N50S 设计兼容于常见的 TO-247 封装标准,易于集成到现有系统中。厂商提供详尽的技术支持文档和应用指南,帮助用户快速上手并进行优化设计。此外,技术支持团队可协助解决用户在应用过程中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的栅极电阻 (Rg)?
    - 解答:根据具体的应用需求和器件特性,可以通过计算栅极电荷(Qg)和驱动波形来确定合适的 Rg 值。推荐查阅技术手册中的相关章节获取更详细的指导。
    2. 问题:工作温度范围是否有限制?
    - 解答:VBZP50N50S 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,但在极端温度下应特别注意散热管理,避免过热导致性能下降。
    3. 问题:器件在高频率下的表现如何?
    - 解答:通过优化驱动电路和使用适当的保护措施(如软开关技术),可以显著提升器件在高频率下的性能。

    7. 总结和推荐


    VBZP50N50S 是一款性能卓越的 N-Channel 超级结功率 MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷等显著优点。其广泛的适用性和良好的电气特性使其成为多种高效率电力转换应用的理想选择。鉴于其出色的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在需要高效能电力转换的应用中采用此款产品。

VBZP50N50S参数

参数
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZP50N50S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZP50N50S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZP50N50S VBZP50N50S数据手册

VBZP50N50S封装设计

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