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IM4435G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SO-8
供应商型号: 14M-IM4435G SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IM4435G

IM4435G概述

    IM4435G-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IM4435G-VB 是一款采用TrenchFET®技术的P沟道功率MOSFET,主要用于负载开关和电池开关应用。它符合IEC 61249-2-21关于无卤素的要求,所有样品均经过100% Rg测试,确保了卓越的产品质量和可靠性。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -30V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - 25°C: -9.0A
    - 70°C: -7.2A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -30A
    - 最大功耗 \( PD \):
    - 25°C: 4.2W
    - 70°C: 2.7W
    - 工作温度范围: -55°C 至 150°C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): -30V
    - 漏源通态电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = -10V \): 0.018Ω
    - \( V{GS} = -4.5V \): 0.024Ω
    - 源漏二极管电流 \( IS \):
    - 25°C: -6.5A
    - -3.5A (脉冲)
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \):
    - -1.0V 至 -2.5V
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 455pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 180pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 145pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - \( V{DS} = -15V \): 25nC (典型值)
    - \( V{DS} = -4.5V \): 13nC (典型值)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性和无卤素设计: IM4435G-VB 符合无卤素要求,适合对环保有严格要求的应用。
    - 优秀的热管理: 最大功耗可达4.2W(25°C),良好的热阻特性使得它适用于多种散热条件。
    - 低通态电阻: 最小通态电阻仅为0.018Ω,提供高效率的电流控制能力。
    - 快速开关特性: 具有优秀的动态性能,如快速上升时间和下降时间(例如,\( tr \)为89ns至134ns),有助于提高电路的整体效率。

    4. 应用案例和使用建议


    IM4435G-VB 主要应用于负载开关和电池开关,例如:
    - 在电动汽车中作为电池管理系统的一部分。
    - 在工业自动化设备中作为负载开关以保护电路。
    使用建议:
    - 确保良好的散热管理,特别是在高功率应用中,以避免因过热导致的损坏。
    - 使用适当的栅极驱动器,确保门限电压和驱动电流满足器件要求。

    5. 兼容性和支持


    - IM4435G-VB 采用标准SO-8封装,易于集成到现有设计中。
    - 厂商提供详尽的技术支持和客户服务,帮助客户解决任何可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 漏极电流超出额定值怎么办?
    - 解决方法: 使用适当的散热措施,如散热片或风扇,确保器件工作在额定温度范围内。
    - 问题2: 开关过程中发现异常温升?
    - 解决方法: 检查电路布局是否合理,确保器件散热路径畅通,适当增加散热片面积。

    7. 总结和推荐


    IM4435G-VB 是一款高性能的P沟道功率MOSFET,适用于多种应用场合。它的低通态电阻和快速开关特性使其成为负载开关和电池开关的理想选择。尽管需要考虑其散热管理,但在合适的设计下,它提供了可靠的性能和长寿命。强烈推荐用于需要高可靠性和高效能的应用场合。

IM4435G参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 9A
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V
配置 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IM4435G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IM4435G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IM4435G IM4435G数据手册

IM4435G封装设计

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