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IRLL024NTR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,7A,RDS(ON),24mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: 14M-IRLL024NTR SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLL024NTR

IRLL024NTR概述

    IRLL024NTR-VB 技术手册解析

    产品简介


    IRLL024NTR-VB 是一款适用于多种应用场景的N沟道功率MOSFET,其主要特征包括无卤素设计、符合RoHS标准,以及卓越的高温耐受性(最大结温可达175°C)。该产品特别适合用于电源管理、电机控制、工业自动化等领域。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 \(V{DS}\) | 60 | - | V |
    | 栅极阈值电压 \(V{GS(th)}\) | 1 | 3 | V |
    | 栅极漏电流 \(IGSS\) | - | ± 100 | nA |
    | 零栅压漏电流 \(IDSS\) | - | 20 | µA |
    | 导通电阻 \(R{DS(on)}\) @ 10 V, 6 A | 0.028 | 0.040 | Ω |
    | 动态总栅极电荷 \(Qg\) @ 30 V, 6 A | 18 | 27 | nC |
    此外,该产品的最大连续漏极电流为7 A,脉冲漏极电流可达40 A,单脉冲雪崩能量为11 mJ,符合严格的电气特性和工作环境要求。

    产品特点和优势


    - 高温耐受:最大结温可达175°C,适合在高温环境下稳定工作。
    - 低导通电阻:导通电阻低至0.028Ω,有助于降低功耗并提高效率。
    - 快速开关性能:良好的动态特性,如快速的上升时间和下降时间,使得IRLL024NTR-VB在高速转换应用中表现优异。
    这些特性使其在市场上具备强大的竞争力,尤其是在对温度敏感和高效率需求的应用场景中。

    应用案例和使用建议


    IRLL024NTR-VB 已广泛应用于各种电源转换系统,如DC-DC转换器、LED驱动器等。例如,在一个DC-DC降压转换器的设计中,这款MOSFET可以显著提高转换效率并减少热量产生。对于设计者来说,建议在选择电路布局时考虑散热措施,以充分发挥其性能。

    兼容性和支持


    IRLL025NTR-VB 采用SOT-223封装,易于焊接和安装。该产品与其他标准接口兼容,便于集成到现有系统中。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详尽的文档、在线论坛和客户服务中心,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定正确的驱动电压?
    解答:根据数据表中的传输特性图,选择合适的VGS值,确保MOSFET处于最佳工作状态。

    2. 问题:如何计算最大允许功耗?
    解答:根据热阻抗值计算,在给定的工作条件下,通过公式 \(P{DM} = \Delta T \times R{thJA}\) 计算最大功耗。

    总结和推荐


    总体而言,IRLL024NTR-VB是一款性能出色、适用范围广泛的N沟道功率MOSFET。其优越的高温耐受性、低导通电阻和快速开关特性,使其在各类应用中表现出色。如果您正在寻找高效能且稳定的MOSFET解决方案,我们强烈推荐您选择IRLL024NTR-VB。

IRLL024NTR参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 29mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLL024NTR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLL024NTR数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLL024NTR IRLL024NTR数据手册

IRLL024NTR封装设计

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