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VBL2658

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-VBL2658 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL2658

VBL2658概述

    # VBL2658 P-Channel 60V MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    VBL2658 是一款高性能的P通道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TrenchFET®技术设计。该产品适用于高电流负载开关及直流/直流转换器等领域,尤其适合需要高可靠性和低功耗的应用场景。其额定电压为60V,具备良好的抗冲击能力和出色的热管理性能,确保其在恶劣环境下也能稳定运行。
    主要特点
    - Halogen-free 符合IEC 61249-2-21标准
    - TrenchFET® Power MOSFET 技术
    - 100% Rg 和 UIS 测试通过
    - 符合RoHS指令2002/95/EC

    技术参数


    以下是VBL2658的技术规格详细列表:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS -60 | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1 2.5 | V |
    | 零栅极电压漏电流 | IDSS -50 | µA |
    | 开启状态漏电流 | ID(on) | -30 A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.048 0.06 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 1650 pF |
    | 输出电容 | Coss | 200 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 120 pF |
    其他关键参数还包括:连续漏极电流(ID)为35A;脉冲漏极电流(IDM)可达100A;最大功率耗散为61W(在25℃条件下);工作结温和存储温度范围为-55℃至150℃。

    产品特点和优势


    VBL2658凭借其卓越的技术指标,在众多应用中展现出显著优势:
    - 高效节能:得益于先进的TrenchFET®技术,该器件具有极低的导通电阻(典型值仅为0.048Ω),从而大幅降低功耗。
    - 高可靠性:经过严格的UIS测试,并且支持所有栅极电阻测试,确保长时间工作的稳定性。
    - 环保友好:符合RoHS指令要求,并采用无卤材料制造,满足现代电子产品对环保的需求。
    应用案例与使用建议
    VBL2658广泛应用于多种电力管理系统中,如开关电源、负载开关以及DC/DC转换器等。对于设计者而言,合理选择驱动电路参数非常重要。例如,在使用时应注意栅极驱动电压的选择以保证最佳性能。同时,由于该器件的工作结温较高,建议增加适当的散热措施来延长使用寿命。
    兼容性与支持
    该产品已获得广泛的行业认可,并且能够与其他主流品牌的同类产品互换使用。厂商提供了详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户快速解决问题并提升开发效率。
    常见问题解答
    Q1: 如何判断VBL2658是否处于正常工作状态?
    A1: 当ID小于规定的极限值且结温保持在允许范围内时,则表明器件正在正常运作。
    Q2: 若发现漏电流异常增大怎么办?
    A2: 首先检查电路连接是否正确;其次确认是否有过大的电磁干扰存在;最后考虑更换新批次的产品试试看。
    总结与推荐
    综上所述,VBL2658是一款兼具高性能与高可靠性的理想选择,特别适合于那些对能效比要求较高的场合。如果您正在寻找一款能够在严苛条件下持续表现优异的小型化解决方案的话,那么这款MOSFET无疑是一个值得信赖的好伙伴!因此我们强烈推荐将它纳入您的项目考量之中。

VBL2658参数

参数
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 30A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,70mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL2658厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL2658数据手册

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VBL2658封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.0657
10+ ¥ 4.7677
30+ ¥ 4.2551
100+ ¥ 3.1884
800+ ¥ 3.0692
2400+ ¥ 2.9798
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