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FQD5N20LTM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,4A,RDS(ON),810mΩ@10V,980mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.32Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-FQD5N20LTM TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD5N20LTM

FQD5N20LTM概述

    # FQD5N20LTM-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品名称: FQD5N20LTM-VB
    产品类型: N-Channel MOSFET
    主要功能: 用于电源转换和驱动应用
    应用领域:
    - 开关电源(如AC-DC适配器、DC-DC转换器)
    - 电机驱动电路
    - 照明控制电路
    - 汽车电子控制系统

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | - | 200 | - | V |
    | 门限电压(VGS(th)) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅电压漏极电流(IDSS) | - | - | 25 | μA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 0.85 | - | Ω |
    | 输入电容(Ciss) | - | 185 | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | 100 | - | pF |
    | 反向传输电容(Crss) | - | 30 | - | pF |
    | 门级电荷(Qg) | - | 13 | - | nC |
    绝对最大额定值
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压(VDS) | - | 200 | - | V |
    | 门极-源极电压(VGS) | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(ID) | - | 5.0 | - | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | - | 20 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | - | 161 | - | mJ |
    工作温度范围
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 工作结温及存储温度(TJ, Tstg) | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 高温结点温度可达175°C,确保在极端条件下仍能稳定运行。
    - 优化PWM: 专为PWM优化设计,适合开关电源和其他需要快速响应的应用。
    - 100% RG测试: 保证每个单元均经过栅极电阻测试,提高可靠性。
    - 环保合规: 符合RoHS指令要求,适用于绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET广泛应用于各种电源转换场合,例如:
    - AC-DC适配器:用于将交流电源转换为直流电源。
    - DC-DC转换器:在不同电压等级之间进行电压转换。
    - 电机驱动电路:用于电动汽车或其他电动设备中的电机控制。
    使用建议
    - 确保散热良好,特别是在连续大功率工作时,避免因过热导致损坏。
    - 使用时需注意门极信号驱动的稳定性,建议使用专用驱动芯片以减少噪声干扰。
    - 在高频应用中,需考虑寄生电感的影响,选择合适的布线方式和位置以减少寄生电感带来的不利影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品采用DPAK封装,与标准DPAK兼容,方便在多种板子上使用。
    - 支持: 厂商提供详细的技术文档和支持,包括在线论坛和技术支持热线(400-655-8788),有助于客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 在高频应用中出现不稳定现象?
    A: 检查电路布局,降低寄生电感的影响;确保门极驱动信号稳定,建议使用专用驱动IC。
    2. Q: 频繁烧毁或损坏?
    A: 检查散热措施是否到位;确认负载条件是否符合规范;确保电路保护措施(如保险丝)正常工作。
    3. Q: 工作时出现异常噪声?
    A: 检查电路板上的接地是否良好;检查门极信号线路是否屏蔽得当;适当增加门极电阻以减少振铃效应。

    总结和推荐


    总体评估
    FQD5N20LTM-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,具备高可靠性、优化PWM以及RoHS合规性等特点,适用于多种电源转换和电机驱动应用。
    推荐结论
    综上所述,该产品在性能和可靠性方面表现优秀,值得推荐给对电子元器件有较高要求的应用场合。对于寻求高效、稳定且符合环保标准的MOSFET的用户来说,FQD5N20LTM-VB是一个理想的选择。

FQD5N20LTM参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 185pF
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FQD5N20LTM厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD5N20LTM数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD5N20LTM FQD5N20LTM数据手册

FQD5N20LTM封装设计

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