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2SJ518

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: 14M-2SJ518 SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ518

2SJ518概述

    2SJ518-VB P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SJ518-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用 TrenchFET® 技术制造,主要应用于负载开关。该器件具有高可靠性,100% 经受住了雪崩耐量测试(UIS 测试),确保在恶劣环境下依然能够正常工作。

    2. 技术参数


    以下是2SJ518-VB的主要技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): -60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (TJ = 150 °C): 70 A (TA = 25 °C), 5.2 A (TA = 70 °C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): -20 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 10.1 mJ
    - 标准参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): -60 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): -0.03 Ω (VGS = -10 V, ID = -3 A), -0.048 Ω (VGS = -4.5 V, ID = -2 A)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): -1 µA (VDS = -60 V, VGS = 0 V)
    - 输入电容 (Ciss): 1500 pF (VDS = -25 V, VGS = 0 V)
    - 输出电容 (Coss): 200 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 150 pF
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 33 °C/W (典型值), 40 °C/W (最大值)
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.98 °C/W (典型值), 1.2 °C/W (最大值)

    3. 产品特点和优势


    2SJ518-VB的主要特点包括:
    - TrenchFET® 技术:提供了低导通电阻和高效率。
    - 100% UIS 测试:确保在极端条件下具有可靠性能。
    - 低导通电阻:最小为0.03 Ω(VGS = -10 V, ID = -3 A)。
    - 高抗雪崩能力:单脉冲雪崩能量达到10.1 mJ。
    这些特点使得2SJ518-VB 在负载开关应用中表现出色,特别适合于高电流需求的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:2SJ518-VB 主要用于负载开关应用。例如,在汽车电子系统中作为电源管理的一部分,或者在工业控制系统中作为电力转换器的一部分。
    - 使用建议:在设计应用时,需要确保电路满足其额定电压和电流要求。此外,为了优化性能,应考虑使用适当的散热措施以减少热阻,特别是在高功耗应用中。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2SJ518-VB 具有良好的电气兼容性,可以与大多数标准 PCB 设计相匹配。
    - 支持和服务:VBsemi 提供了详尽的技术文档和支持服务,客户可以通过服务热线 400-655-8788 获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断2SJ518-VB 是否损坏?
    - 解决方案:通过测量其漏源电压 (VDS) 和栅源电压 (VGS),如果发现读数异常,则可能表示器件损坏。

    - 问题:在什么情况下2SJ518-VB 会达到绝对最大额定值?
    - 解决方案:长期超过绝对最大额定值的电压或电流会导致器件损坏。应尽量避免长时间运行在接近或超过这些限值的条件下。

    7. 总结和推荐


    综上所述,2SJ518-VB是一款高性能、高可靠性的 P 沟道 MOSFET,适用于多种负载开关应用。它的低导通电阻、高抗雪崩能力和TrenchFET® 技术使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐该产品给需要高效、可靠的负载开关解决方案的用户。

2SJ518参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 6.5A
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ518厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ518数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ518 2SJ518数据手册

2SJ518封装设计

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