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VBZM40N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域,可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。
供应商型号: 14M-VBZM40N03
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM40N03

VBZM40N03概述

    # VBZM40N03 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBZM40N03 是一款 N 沟道增强型 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电源管理和控制应用。它采用先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,确保了高效率和低导通电阻。这款器件广泛应用于消费电子、工业自动化和通信设备等领域。

    技术参数


    以下是 VBZM40N03 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | — | ± 20 | V |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | — | 30 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 80 | — | — | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 200 | — | — | A |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | 70.2 | — | 105 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | 15 | — | — | nC |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.006 | — | 0.009 | Ω (VGS=10V) |

    产品特点和优势


    VBZM40N03 的主要特点和优势包括:
    1. 高效率:采用 TrenchFET® 技术,保证了较低的导通电阻,提高了整体效率。
    2. 可靠性高:通过所有质量测试(如UIS测试),并符合RoHS标准。
    3. 出色的热性能:热阻系数较低,适用于高功率应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流开关:常用于需要高速切换的应用中,如电机驱动。
    - 电源管理:作为直流电路中的开关元件,可以有效降低功耗。
    使用建议
    - 散热设计:由于工作时可能产生较高的热量,应采用有效的散热措施,如增加散热片或风扇。
    - 测试验证:在实际应用前进行充分的测试验证,确保产品满足预期性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准 TO-220AB 封装,可方便地与其他标准电源管理器件集成。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南和技术咨询服务,以便用户能够更好地利用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 发热问题
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,考虑增加散热片或改进散热路径。
    2. 开关损耗过高
    - 解决方案:调整栅极驱动信号,确保快速开关以减少开关损耗。

    总结和推荐


    VBZM40N03 N-Channel MOSFET 是一款高效且可靠的电子元器件,适用于多种电力管理和控制应用。凭借其卓越的导通电阻、出色的热性能以及完善的文档支持,VBZM40N03 是市场上极具竞争力的产品之一。我们强烈推荐将其应用于需要高效、可靠电力转换的场合。

VBZM40N03参数

参数
Id-连续漏极电流 80A
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM40N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM40N03数据手册

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VBZM40N03封装设计

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