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NTD6416ANT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,25A,RDS(ON),55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-NTD6416ANT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD6416ANT4G

NTD6416ANT4G概述

    NTD6416ANT4G-VB N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD6416ANT4G-VB 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电力转换和控制应用。该器件额定电压为 100V,最大连续漏极电流为 12A(在 25°C 时),并具有出色的热性能和可靠性。主要用于电源管理中的初级侧开关。

    技术参数


    以下是 NTD6416ANT4G-VB 的关键技术参数:
    - 额定电压(VDS):100V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TA = 25°C 时为 12A
    - TA = 70°C 时为 10A
    - 脉冲漏极电流(IDM):75A
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25°C 时为 83W
    - TC = 70°C 时为 58W
    - 静态参数:
    - 通态漏源电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS = 10V 时为 0.055Ω
    - 在 VGS = 4.5V 时为 0.057Ω
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻抗(RthJA):15°C/W(典型值)
    - 最大结到外壳热阻抗(RthJC):1.5°C/W(典型值)

    产品特点和优势


    NTD6416ANT4G-VB 的主要特点是采用了先进的 TrenchFET® 技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高效率。这些特性使其非常适合在高电流、高频率的应用环境中使用。该器件还经过 100% UIS 测试,确保在极端条件下的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    该 MOSFET 广泛应用于电源管理和控制系统,例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动器。在具体应用中,建议将器件安装在具有良好散热设计的 PCB 上,以确保在高负载条件下稳定运行。此外,在电路设计时应注意选择合适的驱动电路,以避免因驱动不足导致的器件损坏。

    兼容性和支持


    NTD6416ANT4G-VB 采用 TO-252 封装,易于安装和焊接。在大多数常见的电源管理和控制应用中,该器件具有良好的兼容性。制造商提供了详细的技术文档和支持,帮助客户在项目开发过程中解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定 NTD6416ANT4G-VB 的最大工作温度?
    - 解决方案:参考数据手册中的绝对最大额定值部分,可以看到 NTD6416ANT4G-VB 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C。
    - 问题:如何计算 NTD6416ANT4G-VB 的热阻抗?
    - 解决方案:根据数据手册中的热阻抗部分,可以在不同的环境温度下估算出 NTD6416ANT4G-VB 的最大热阻抗。

    总结和推荐


    总体来看,NTD6416ANT4G-VB 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,特别适合用于高功率、高效率的应用场合。其先进的 TrenchFET® 技术、出色的热管理和可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效、可靠的电源管理和控制系统的设计工程师来说,NTD6416ANT4G-VB 是一个值得考虑的选择。强烈推荐在相关项目中使用该器件。

NTD6416ANT4G参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 100uA
Id-连续漏极电流 42A
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.98nF@ 25V
最大功率耗散 140W
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 10V,38A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 48nC@ 4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTD6416ANT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD6416ANT4G数据手册

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