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UD3015

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-UD3015 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UD3015

UD3015概述


    产品简介


    P-Channel 30V MOSFET 是一种具有30伏特(D-S)电压承受能力的电子元器件,适用于多种高电压控制和开关电路的应用。它主要用作开关管,在直流电机控制、电源转换和通信设备中广泛使用。由于其良好的性能和可靠性,P-Channel 30V MOSFET 成为众多工程师和设计师的首选组件。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30V
    - 连续漏极电流 (ID):40A (TC=125°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):240A
    - 断态漏极-源极电压 (VDS):30V (ID=-250µA)
    - 门限电压 (VGS(th)):-1 ~ 3V (ID=-250µA)
    - 门体漏电流 (IGSS):±100nA (VDS=0V, VGS=±20V)
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):-1A (VDS=-30V, VGS=0V)
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)): 120A (VDS=-5V, VGS=-10V)
    - 开启状态电阻 (RDS(on)):
    - 0.01Ω (VGS=-10V, ID=-30A)
    - 0.015Ω (VGS=-10V, ID=-30A, TJ=125°C)
    - 0.019Ω (VGS=-10V, ID=-30A, TJ=175°C)
    - 0Ω (VGS=-4.5V, ID=-20A)
    - 输入电容 (Ciss):9000pF (VGS=0V, VDS=-25V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss):1565pF
    - 转移电容 (Crss):715pF
    - 总门电荷 (Qg):160~240nC (VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-75A)
    - 结温范围 (TJ, Tstg):-55°C ~ +175°C
    - 热阻 (RthJA):40°C/W (PCB Mount), 62.5°C/W (Free Air)

    产品特点和优势


    - RoHS合规性:完全符合欧盟RoHS指令2002/95/EC标准,不含铅等有害物质。
    - 低导通电阻:在不同温度下均能保持较低的导通电阻,适合高频应用。
    - 高可靠性:具备良好的抗浪涌能力和热稳定性,适用于恶劣环境。
    - 快速开关速度:出色的动态特性使得该MOSFET在高速开关电路中表现优异。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 直流电机驱动:作为电机控制器中的开关管,用于精确控制电机的启动和停止。
    2. 电源管理:应用于电源转换器中,提高能源效率和转换稳定性。
    3. 通信设备:在通信设备中作为信号放大器,确保信号传输的可靠性和准确性。
    使用建议
    - 在高功率应用中,确保散热设计合理,以避免过热损坏。
    - 对于高频应用,注意选择合适的栅极电阻和滤波电容,以减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:可与其他标准封装的P-Channel MOSFET互换,适用于大多数现代PCB设计。
    - 支持服务:提供全面的技术支持,包括产品选型指导、应用技术支持和售后保障服务。如有疑问,可通过电话或电子邮件联系厂商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时导通电阻异常
    - 解决方案:检查门极电压是否足够高,若低于-10V,则可能需要增加外部偏置电阻。
    - 问题2:过热损坏
    - 解决方案:加强散热措施,如增大散热片面积或加装散热风扇。
    - 问题3:开关速度慢
    - 解决方案:优化门极驱动电路,减小栅极电阻并确保足够的驱动电流。

    总结和推荐


    P-Channel 30V MOSFET 在高电压和高频应用中表现出色,拥有卓越的性能和广泛的适用范围。它的低导通电阻和快速开关特性使其成为现代电子设计的理想选择。虽然价格稍高,但考虑到其可靠性和耐用性,我们强烈推荐在高可靠性要求的应用中使用该产品。

UD3015参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.019Ω@VGS = -9 V,ID = -30 A,TJ = 175 °C
Id-连续漏极电流 50A
最大功率耗散 127W
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UD3015厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UD3015数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UD3015 UD3015数据手册

UD3015封装设计

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