处理中...

首页  >  产品百科  >  WNM2020-3/TR

WNM2020-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-WNM2020-3/TR SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WNM2020-3/TR

WNM2020-3/TR概述

    WNM2020-3TR-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    WNM2020-3TR-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道MOSFET器件,其最大耐压为20V(D-S),适合于多种直流-直流转换器及便携式设备中的负载开关应用。该器件采用了TrenchFET® Power MOSFET工艺制造,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适用于需要高效率和小型化设计的应用场合。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS):20V
    - 最大栅源电压(VGS):±12V
    - 连续漏极电流(ID):2A(TC=25°C时)
    - 脉冲漏极电流(IDM):20A(TC=25°C时)
    - 最大功耗(PD):2.1W(TC=25°C时)
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 栅极电荷(Qg):8.8nC(VGS=4.5V时)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):在VGS=4.5V、ID=5.0A时,RDS(on)仅为0.028Ω,这使得该器件非常适合于需要低损耗和高效率的应用场合。
    - 环保材料:根据IEC 61249-2-21标准,该器件为无卤素材料。
    - 符合RoHS指令:完全符合欧盟的RoHS 2002/95/EC指令,保证了在电子废弃物管理上的合规性。

    应用案例和使用建议


    - DC/DC转换器:由于其高效的性能,WNM2020-3TR-VB非常适合用于笔记本电脑、智能手机等便携式设备的电源管理。
    - 负载开关:在要求高可靠性的应用中,如电信基站和数据中心,该器件可以作为理想的负载开关,以提高系统效率和可靠性。
    - 使用建议:确保电路板上焊接的温度不超过制造商推荐的峰值温度260°C,以防止对器件造成损害。另外,在设计时应考虑散热问题,避免器件因过热而失效。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WNM2020-3TR-VB采用SOT-23封装,适合表面安装,可广泛应用于各种电子设备中。
    - 支持:VBsemi公司提供了详细的技术手册和支持文档,可通过官方客服热线400-655-8788获取更多帮助和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定器件的最大功耗?
    解决方案:查阅技术手册中的绝对最大额定值表,可以找到在不同环境温度下的最大功耗。
    - 问题2:如何选择合适的栅极驱动电阻(Rg)?
    解决方案:通常,较小的栅极电阻会减少开关时间,但可能导致较大的电磁干扰(EMI)。通过查阅器件的动态特性部分,可以选择一个合适的Rg值来平衡这两个因素。

    总结和推荐


    WNM2020-3TR-VB是一款高性能、环保且高度可靠的MOSFET器件,适用于多种工业和消费电子产品中。其低导通电阻、高电流处理能力和紧凑的封装使其成为许多应用的理想选择。对于需要高效、可靠电力管理的设计工程师来说,这款产品值得推荐。

WNM2020-3/TR参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 独立式
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 15nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 3.9A,10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 540pF
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WNM2020-3/TR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WNM2020-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WNM2020-3/TR WNM2020-3/TR数据手册

WNM2020-3/TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.1425
库存: 381
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 0.71
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504